SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Τεχνολογία μικροτσίπ

Περιγραφή του προϊόντος

Το SST38VF166 αποτελείται από τρεις τράπεζες μνήμης, 2 EEPROM 512K x16 bits σε καθεμία από τις κατηγορίες, καθώς και ένα 4K x16 bits μεταβλητό E2PROM που κατασκευάζεται με την ιδιόκτητη τεχνολογία SST,υψηλής απόδοσης τεχνολογία SuperFlashΤο SST38VF166 διαγράφει και προγραμματίζει με μία μόνο παροχή ρεύματος.Η συσκευή συμμορφώνεται με (προτεινόμενα) πρότυπα JEDEC για μνήμες σε όλο τον κόσμο.

ΕΠΙΤΡΟΠΗ:

• Μοναδικές λειτουργίες ανάγνωσης και εγγραφής 2,7-3,6V
• Διαχωρισμένες τράπεζες μνήμης για κωδικό ή δεδομένα
Η ικανότητα συγχρόνως ανάγνωσης και γραφής
• Υψηλότερη Αξιότητα Εμπιστοσύνης
∙ Αντοχή:
Τράπεζα E2 - 500.000 κύκλοι (τυπικός)
Τράπεζα Flash - 100.000 κύκλοι (τυπικός)
Πάνω από 100 έτη Διατήρηση δεδομένων
• Μικρή κατανάλωση ενέργειας
Διορθωτικό ρεύμα, ανάγνωση: 15 mA (τυπικό)
Δράση ενεργού ρεύματος, ταυτόχρονη ανάγνωση κατά την εγγραφή: 40 mA (τυπικό)
∆ήμινο ρεύμα αναμονής: 3 μA (τυπικό)
Διάταξη ∆υστυχώς
• Λειτουργία ταχείας εγγραφής
Φλας Τράπεζα-Εξάλειψη + Πρόγραμμα: 8 δευτερόλεπτα
Φλας Block-Erase + Πρόγραμμα: 500 ms (τυπικό)
∙ Flash Sector-Erase + Πρόγραμμα: 30 ms (τυπικό)
¢ E2 τράπεζα Word-Write: 9 ms (τυπικό)
• Καθορισμένη διαγραφή, προγραμματισμός, χρόνος εγγραφής
∆ιαμείνετε σταθεροί μετά την ποδηλασία
• Χρόνος πρόσβασης στην ανάγνωση
70 ns
• Κλειδωμένη διεύθυνση και δεδομένα
• Ανίχνευση του τέλους της γραφής
️ Τροχιασμός
Πληροφορίες# Έρευνες
• Τράπεζα Ε2:
️ Σημείωση-Γράψιμο (Αυτόματη διαγραφή πριν από το Πρόγραμμα)
- Σκηνοθεσία-καθαρισμός (32 λέξεις) + Πρόγραμμα-Word (όπως και το Flash bank)
• Τράπεζα Flash: Δύο μικρά μεγέθη στοιχείων διαγραφής
1 KWord ανά τομέα ή 32 KWord ανά μπλοκ
- Σβήστε οποιοδήποτε στοιχείο πριν από το Word-Program
• CMOS I/O συμβατότητα
• Τυπικό σύνολο εντολών JEDEC
• Διαθέσιμα πακέτα
️ 48-pin TSOP (12mm x 20mm)
• Συνεχή προστασία δεδομένων από υλικό και λογισμικό (SDP)
• Ένας μονοχρόνιος προγραμματιζόμενος (OTP) τομέας E2