DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Μάρκα Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Αριθμό μοντέλου DS1345YP-70+
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Αμετάβλητος Σχήμα μνήμης NVSRAM
Τεχνολογία NVSRAM (αμετάβλητο SRAM) Μέγεθος μνήμης 1 Mbit
Οργάνωση μνήμης 128K Χ 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών - Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 70ns
Χρόνος πρόσβασης 70 NS Πρόσθετη τάση 4.5V ~ 5.5V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 34-PowerCap™ ενότητα Πακέτο συσκευής του προμηθευτή Μονάδα 34-PowerCap
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS3065WP-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1245WP-100IND+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1250ABP-100+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1350WP-100IND+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
DS1245ABP-70+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1345WP-100+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330YP-100+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή

Οι SRAM DS1345 1024k NV είναι 1,048576-bit, πλήρως στατικά, NV SRAM οργανωμένα ως 131.072 λέξεις με 8 bits.Κάθε NV SRAM διαθέτει μια αυτοτελή πηγή ενέργειας λιθίου και κυκλώματα ελέγχου που παρακολουθούν συνεχώς το VCC για κατάσταση εκτός ανοχής.Όταν συμβαίνει μια τέτοια κατάσταση, η πηγή ενέργειας λιθίου ενεργοποιείται αυτόματα και η προστασία γραφής ενεργοποιείται άνευ όρων για την πρόληψη της διαφθοράς των δεδομένων.οι συσκευές DS1345 διαθέτουν ειδικά κυκλώματα για την παρακολούθηση της κατάστασης του VCC και της κατάστασης της εσωτερικής μπαταρίας λιθίου.

Ειδικά χαρακτηριστικά

■ 10 έτη ελάχιστη διατήρηση δεδομένων σε περίπτωση απουσίας εξωτερικής ισχύος
■ Τα δεδομένα προστατεύονται αυτόματα κατά την απώλεια ισχύος
■ Η οθόνη τροφοδοσίας επαναφέρει τον επεξεργαστή όταν εμφανίζεται απώλεια ισχύος VCC και διατηρεί τον επεξεργαστή σε επαναφορά κατά τη διάρκεια της αναβάθμισης VCC
■ Η παρακολούθηση της μπαταρίας ελέγχει καθημερινά την εναπομείναντα χωρητικότητα
■ Χρόνοι πρόσβασης ανάγνωσης και εγγραφής 70ns
■ Απεριόριστη αντοχή κύκλου εγγραφής
■ Τυπικό ρεύμα αναμονής 50μA
■ Αναβάθμιση για 128k x 8 SRAM, EEPROM ή Flash
■ Η μπαταρία λιθίου αποσυνδέεται ηλεκτρικά για να διατηρηθεί φρέσκια μέχρι την πρώτη ενεργοποίηση
■ πλήρης εμβέλεια λειτουργίας VCC ± 10% (DS1345Y) ή προαιρετική εμβέλεια λειτουργίας VCC ± 5% (DS1345AB)
■ Προαιρετικό εύρος βιομηχανικών θερμοκρασιών από -40°C έως +85°C, με ονομασία IND
■ Πακέτο PowerCap Module (PCM)
- Μοντέλο που τοποθετείται άμεσα στην επιφάνεια
- Η αντικαταστάσιμη PowerCap παρέχει μπαταρία λίθιο.
- Τυποποιημένη εικόνα για όλα τα μη πτητικά (NV) προϊόντα SRAM
#ΝΟΜΟ;

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Μαξίμ Ενσωματωμένο
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά DS1345Y
Συσκευή Τύπος
Στυλ εγκατάστασης Επενδύσεις
Πακέτο-Κουτί 34-PowerCap;
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 4.5 V ~ 5.5 V
Συσκευή του προμηθευτή Μονάδα 34-PowerCap
Δυνατότητα μνήμης 1M (128K x 8)
Τύπος μνήμης NVSRAM (μη πτητική SRAM)
Ταχύτητα 70n
Χρόνος πρόσβασης 70 ns
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας + 70 C
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας 0 C
Τρέχων παροχής λειτουργίας 85 mA
Τύπος διεπαφής Παράλληλα
Οργάνωση 128 k x 8
Μέρος-#-Παρανομοιότυπα 90-1345Y+P70 DS1345Y
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων 8 bit
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 5.5 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 4.5 V
Πακέτο-Κουτί Μονάδα PowerCap-34

Περιγραφές

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Μνήμη IC 1Mb (128K x 8) Παράλληλη 70ns 34-PowerCap Μονάδα
NVRAM 1024K NV SRAM με ανιχνευτή μπαταρίας