Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics

  • W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics
Μάρκα Winbond Electronics
Αριθμό μοντέλου W949D6DBHX5I
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - Κινητό LPDDR Μέγεθος μνήμης 512Mbit
Οργάνωση μνήμης 32M X 16 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 200 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 5 NS Πρόσθετη τάση 1.7V ~ 1.95V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 60-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 60-VFBGA (8x9)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D6KBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-75:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W948D6FBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5I IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5J IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Η W9425G6DH είναι μια CMOS διπλή ταχύτητα δεδομένων συγχρονισμένη δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DDR SDRAM), οργανωμένη ως 4,194Χρησιμοποιώντας αρχιτεκτονική αγωγού και τεχνολογία διαδικασίας 0,11 μm, το W9425G6DH παρέχει εύρος ζώνης δεδομένων έως 500M λέξεις ανά δευτερόλεπτο (-4).Για την πλήρη συμμόρφωση με το βιομηχανικό πρότυπο προσωπικών υπολογιστώνΤο -4 είναι σύμφωνο με τις προδιαγραφές DDR500/CL3. Το -5 είναι σύμφωνο με τις προδιαγραφές DDR400/CL3.Το -6 συμμορφώνεται με το DDR333/CL2Το -75 συμμορφώνεται με τις προδιαγραφές DDR266/CL2 (το 75I που είναι εγγυημένο να υποστηρίζει -40 °C ~ 85 °C).

Ειδικά χαρακτηριστικά

• 2.5V ± 0,2V τροφοδοσία για DDR266/DDR333
• 2.6V ± 0,1V τροφοδοσία για DDR400/DDR500
• Μέχρι 250 MHz συχνότητα ρολογιού
• Αρχιτεκτονική διπλής ταχύτητας δεδομένων: δύο μεταφορές δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού
• Διαφορετικές εισροές ρολογιού (CLK και CLK)
• Το DQS είναι ευθυγραμμισμένο στην άκρη με δεδομένα για την ανάγνωση· ευθυγραμμισμένο στο κέντρο με δεδομένα για την εγγραφή
• CAS καθυστέρηση: 2, 2,5 και 3
• Διάρκεια εκρήξεως: 2, 4 και 8
• Αυτοανανεώστε και αυτοανανεώστε
• Αποσύνδεση ενεργού ρεύματος και ενεργού ρεύματος
• Γράψτε την κάλυψη δεδομένων
• Γράψτε Latency = 1
• Διαστήματα ανανέωσης 7, 8μS (8K / 64 mS ανανέωση)
• Μέγιστος κύκλος ανανέωσης: 8
• Διασύνδεση: SSTL_2
• συσκευασμένο σε TSOP II 66-pin, 400 mil, 0,65 mm, χωρίς Pb και συμβατό με το RoHS

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Ηλεκτρονικά Winbond
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία δίσκου
Πακέτο-Κουτί 60-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 10,7 V ~ 1,95 V
Συσκευή του προμηθευτή 60-VFBGA (8x9)
Δυνατότητα μνήμης 512M (32M x 16)
Τύπος μνήμης Κινητή LPDDR SDRAM
Ταχύτητα 200MHz
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM

Περιγραφές

SDRAM - Κινητή μνήμη LPDDR IC 512Mb (32M x 16) Παράλληλη 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-pin VFBGA
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI