Όλα τα Προϊόντα
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ενότητα ολοκληρωμένου κυκλώματος RF
-
Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης
-
Μονάδα μικροελεγκτών MCU
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα FPGA
-
Αισθητήρας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ολοκληρωμένα κυκλώματα διεπαφών
-
Ψηφιακός Opto μονωτής
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ΑΠΟΜΟΝΩΤΩΝ λογικής
-
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα συγχρονισμού ρολογιών
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αποκτήσεων στοιχείων
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Μάρκα | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| Αριθμό μοντέλου | DS1225AD-200+ |
| Ποσότητα παραγγελίας min | 1 |
| Τιμή | Based on current price |
| Συσκευασία λεπτομέρειες | Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια |
| Χρόνος παράδοσης | 3-5 εργάσιμες ημέρες |
| Όροι πληρωμής | Τ/Τ |
| Δυνατότητα προσφοράς | Σε αποθέματα |
Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.
xΛεπτομέρειες
| Τύπος μνήμης | Αμετάβλητος | Σχήμα μνήμης | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| Τεχνολογία | NVSRAM (αμετάβλητο SRAM) | Μέγεθος μνήμης | 64 Kbit |
| Οργάνωση μνήμης | 8K Χ 8 | Διεπαφή μνήμης | Παράλληλα |
| Συχνότητα ρολογιών | - | Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα | 200ns |
| Χρόνος πρόσβασης | 200 NS | Πρόσθετη τάση | 4.5V ~ 5.5V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Τύπος στερέωσης | Μέσα από την τρύπα |
| Πακέτο / Κουτί | 28-Μονάδα DIP (0,600", 15,24mm) | Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | 28-EDIP |
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1225AD-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-70+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-70IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-85+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-85+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-200+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-170+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-200+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-85+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-70+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230W-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-170+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-85+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-100IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-200 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-70 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-200IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-70IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-150IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-200IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-150IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-85 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-85 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-200IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-70IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230W-100IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225Y-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP |
Περιγραφή προϊόντων
Λεπτομέρειες για το προϊόν
Περιγραφή
Τα DS1225AB και DS1225AD είναι 65,536-bit, πλήρως στατικά, μη πτητικά SRAM οργανωμένα ως 8192 λέξεις με 8 bits.Κάθε NV SRAM διαθέτει μια ανεξάρτητη πηγή ενέργειας λιθίου και κυκλώματα ελέγχου που παρακολουθούν συνεχώς το VCC για μια κατάσταση εκτός ανοχής..
Ειδικά χαρακτηριστικά
10 έτη ελάχιστη διατήρηση δεδομένων σε περίπτωση απουσίας εξωτερικής ισχύοςΤα δεδομένα προστατεύονται αυτόματα κατά την απώλεια ρεύματος
Αντικαθιστά απευθείας 8k x 8 πτητική στατική μνήμη RAM ή EEPROM
Απεριόριστοι κύκλοι εγγραφής
CMOS χαμηλής ισχύος
Πρότυπο JEDEC 28-pin DIP πακέτο
Χρόνοι πρόσβασης ανάγνωσης και εγγραφής έως και 70 ns
Η πηγή ενέργειας λιθίου είναι ηλεκτρικά αποσυνδεδεμένη για να διατηρηθεί η φρεσκάδα μέχρι να εφαρμοστεί η ενέργεια για πρώτη φορά
Πλήρης ±10% εύρος λειτουργίας VCC (DS1225AD)
Προαιρετικό εύρος λειτουργίας VCC ± 5% (DS1225AB)
Προαιρετικό εύρος βιομηχανικής θερμοκρασίας από -40 °C έως +85 °C, με ονομασία IND
Προδιαγραφές
| Ειδικότητα | Αξία χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Μαξίμ Ενσωματωμένο |
| Κατηγορία προϊόντων | Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης |
| Σειρά | DS1225AD |
| Συσκευή | Τύπος |
| Στυλ εγκατάστασης | Μέσα από την τρύπα |
| Πακέτο-Κουτί | 28-Μονάδα DIP (0,600", 15,24mm) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Διασύνδεση | Παράλληλα |
| Προμήθεια τάσης | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Συσκευή του προμηθευτή | 28-EDIP |
| Δυνατότητα μνήμης | 64K (8K x 8) |
| Τύπος μνήμης | NVSRAM (μη πτητική SRAM) |
| Ταχύτητα | 200 σ.μ. |
| Χρόνος πρόσβασης | 200 ns |
| Φόρμα-μνήμη | Μνήμη RAM |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας | + 70 C |
| Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας | 0 C |
| Τρέχων παροχής λειτουργίας | 75 mA |
| Τύπος διεπαφής | Παράλληλα |
| Οργάνωση | 8 k x 8 |
| Μέρος-#-Παρανομοιότυπα | 90-1225Α+D00 DS1225AD |
| Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων | 8 bit |
| Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη | 5.5 V |
| Η τάση τροφοδοσίας-Min | 4.5 V |
| Πακέτο-Κουτί | EDIP-28 |
Λειτουργικό συμβατό στοιχείο
Φόρμα, συσκευασία, λειτουργικό συμβατό στοιχείο
| Παρασκευαστής | Περιγραφή | Κατασκευαστής | Συγκρίνετε |
| DS1225Y-200+ Μνήμη |
Μη πτητική μονάδα SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, DIP-28 | Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim | DS1225AD-200+ έναντι DS1225Y-200+ |
| DS1225AB-200IND Μνήμη |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Ηλεκτρονική συσκευή για την αποθήκευση δεδομένων | Η Rochester Electronics LLC | DS1225AD-200+ έναντι DS1225AB-200IND |
| DS1225Y-200 Μνήμη |
Μη πτητική μονάδα SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 | Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim | DS1225AD-200+ έναντι DS1225Y-200 |
| DS1225AD-200 Μνήμη |
Μη πτητική μονάδα SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 INCH, EXTENDED, DIP-28 | Ημιαγωγός Ντάλας | DS1225AD-200+ έναντι DS1225AD-200 |
| DS1225AB-200IND+ Μνήμη |
Μη πτητική μονάδα SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, DIP-28 | Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim | DS1225AD-200+ έναντι DS1225AB-200IND+ |
| BQ4010MA-200 Μνήμη |
8KX8 μη πτητική μονάδα SRAM, 200ns, DMA28, DIP-28 | Τεξας Instruments | DS1225AD-200+ έναντι BQ4010MA-200 |
| BQ4010YMA-200 Μνήμη |
8KX8 μη πτητική μονάδα SRAM, 200ns, PDIP28 | Τεξας Instruments | DS1225AD-200+ έναντι BQ4010YMA-200 |
| DS1225AB-200 Μνήμη |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Ηλεκτρονική συσκευή για την αποθήκευση δεδομένων | Η Rochester Electronics LLC | DS1225AD-200+ έναντι DS1225AB-200 |
| DS1225AB-200+ Μνήμη |
Μη πτητική μονάδα SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, DIP-28 | Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim | DS1225AD-200+ έναντι DS1225AB-200+ |
| DS1225AD-200IND+ Μνήμη |
Μη πτητική μονάδα SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, DIP-28 | Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim | DS1225AD-200+ έναντι DS1225AD-200IND+ |
Περιγραφές
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Μνήμη IC 64Kb (8K x 8) Παράλληλη 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k Μη πτητική SRAM
Συνιστώμενα προϊόντα
