IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, ολοκληρωμένη λύση πυριτίου Inc.

Μάρκα ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Αριθμό μοντέλου IS43DR81280C-25DBL
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR2 Μέγεθος μνήμης 1Gbit
Οργάνωση μνήμης 128M X 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 400 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 400 CP Πρόσθετη τάση 1.7V ~ 1.9V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0°C ~ 85°C (TC) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 60-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 60-TWBGA (8x10.5)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
IS43DR86400E-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Ειδικά χαρακτηριστικά

● Τυπική τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
● Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Πίσω συμβατό με 1.5V
● Ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων
συχνότητα έως 933 MHz
● 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
● Αρχιτεκτονική 8n-bit pre-fetch
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
● Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS WRITE (CWL) με βάση το tCK
● Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
● Προγραμματισμένη ακολουθία εκρήξεων: Διαδοχική ή διασταυρούμενη
● Εναλλαγή BL στην πτήση
● Αυτόματη ανανέωση (ASR)
● Αυτοανανεώσιμη θερμοκρασία (SRT)
● Διαστήματα ανανέωσης:
7.8 us (8192 κύκλοι/64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
3.9 us (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
● Μερική Συνολική Αυτοαναζωογόνηση
● Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
● Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
● OCD (προσαρμογή αντίστασης οδηγού εκτός τσιπ)
● Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά τη σπατάλη)
● Δύναμη οδήγησης: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ′′)
● Γράψτε την ισοπέδωση
● Μέχρι 200 MHz σε κατάσταση απενεργοποίησης DLL
● Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής ΔΕΣΙ
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Κατασκευαστής ΔΕΣΙ
Κατηγορία προϊόντων DRAM
RoHS Λεπτομέρειες
Ετικέτα ΔΕΣΙ

Περιγραφές

SDRAM - DDR2 Μνήμη IC 1Gb (128M x 8) Παράλληλη 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
Τσιπ DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 128Mx8