Όλα τα Προϊόντα
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ενότητα ολοκληρωμένου κυκλώματος RF
-
Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης
-
Μονάδα μικροελεγκτών MCU
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα FPGA
-
Αισθητήρας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ολοκληρωμένα κυκλώματα διεπαφών
-
Ψηφιακός Opto μονωτής
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ΑΠΟΜΟΝΩΤΩΝ λογικής
-
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα συγχρονισμού ρολογιών
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αποκτήσεων στοιχείων
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, ολοκληρωμένη λύση πυριτίου Inc.

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.
xΛεπτομέρειες
Τύπος μνήμης | Πτητικός | Σχήμα μνήμης | DRAM |
---|---|---|---|
Τεχνολογία | SDRAM - DDR2 | Μέγεθος μνήμης | 1Gbit |
Οργάνωση μνήμης | 128M X 8 | Διεπαφή μνήμης | Παράλληλα |
Συχνότητα ρολογιών | 400 MHz | Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα | 15ns |
Χρόνος πρόσβασης | 400 CP | Πρόσθετη τάση | 1.7V ~ 1.9V |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 0°C ~ 85°C (TC) | Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
Πακέτο / Κουτί | 60-TFBGA | Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | 60-TWBGA (8x10.5) |
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43DR86400E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
Περιγραφή προϊόντων
Λεπτομέρειες για το προϊόν
Ειδικά χαρακτηριστικά
● Τυπική τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V● Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Πίσω συμβατό με 1.5V
● Ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων
συχνότητα έως 933 MHz
● 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
● Αρχιτεκτονική 8n-bit pre-fetch
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
● Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS WRITE (CWL) με βάση το tCK
● Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
● Προγραμματισμένη ακολουθία εκρήξεων: Διαδοχική ή διασταυρούμενη
● Εναλλαγή BL στην πτήση
● Αυτόματη ανανέωση (ASR)
● Αυτοανανεώσιμη θερμοκρασία (SRT)
● Διαστήματα ανανέωσης:
7.8 us (8192 κύκλοι/64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
3.9 us (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
● Μερική Συνολική Αυτοαναζωογόνηση
● Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
● Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
● OCD (προσαρμογή αντίστασης οδηγού εκτός τσιπ)
● Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά τη σπατάλη)
● Δύναμη οδήγησης: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ′′)
● Γράψτε την ισοπέδωση
● Μέχρι 200 MHz σε κατάσταση απενεργοποίησης DLL
● Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)
Προδιαγραφές
Ειδικότητα | Αξία χαρακτηριστικού |
---|---|
Κατασκευαστής | ΔΕΣΙ |
Κατηγορία προϊόντων | Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης |
Κατασκευαστής | ΔΕΣΙ |
Κατηγορία προϊόντων | DRAM |
RoHS | Λεπτομέρειες |
Ετικέτα | ΔΕΣΙ |
Περιγραφές
SDRAM - DDR2 Μνήμη IC 1Gb (128M x 8) Παράλληλη 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
Τσιπ DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 128Mx8
Συνιστώμενα προϊόντα