AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

Μάρκα Alliance Memory, Inc.
Αριθμό μοντέλου ΑΣ4C16M16D1-5BCN
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR Μέγεθος μνήμης 256Mbit
Οργάνωση μνήμης 16M X 16 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 200 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 700 CP Πρόσθετη τάση 2.3V ~ 2.7V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 60-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 60-TFBGA (8x13)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C8M16D1-5BIN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BIN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
AS4C64M8D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C16M16D1-5BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
IS46R16160F-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16320E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-5B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-6BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16160F-5BI IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Χαρακτηριστικά

• Οργάνωση: 1,048,576 λέξεις × 4 bits
• Υψηλή ταχύτητα
- 40/50/60/70 ns χρόνος πρόσβασης στο RAS
- 20/25/30/35 ns χρόνος πρόσβασης στη διεύθυνση στήλης
- 10/13/15/18 ns χρόνος πρόσβασης CAS
• Μικρή κατανάλωση ενέργειας
- Ενεργός: 385 mW μέγιστο (-60)
- Σε αναμονή: 5,5 mW, CMOS I/O
• Ταχεία λειτουργία σελίδας (AS4C14400) ή EDO (AS4C14405)
• 1024 κύκλοι ανανέωσης, διάστημα ανανέωσης 16 ms
- ανανέωση μόνο RAS ή CAS πριν από RAS
• Διάβασμα-τροποποίηση-γράφηση
• Τριδιακό I/O συμβατό με το TTL
• Τα τυποποιημένα πακέτα JEDEC
- 300 ml, 20/26-pin SOJ
- 300 ml, 20/26-pin TSOP
• Μία μονάδα τροφοδοσίας 5V
• Προστασία ESD ≥ 2001V
• ρεύμα κλειδώματος ≥ 200 mA

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Alliance Memory, Inc. (Εταιρεία Μνήμης Συμμαχίας).
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά AS4C16M16D1
Τύπος DDR1
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία δίσκου
Στυλ εγκατάστασης Επενδύσεις
Πακέτο-Κουτί 60-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 2.3 V ~ 2.7 V
Συσκευή του προμηθευτή 60-TFBGA (13x8)
Δυνατότητα μνήμης 256M (16M x 16)
Τύπος μνήμης DDR SDRAM
Ταχύτητα 200MHz
Χρόνος πρόσβασης 0.7 ns
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας + 70 C
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας 0 C
Οργάνωση 16 M x 16
Μέγιστο ρεύμα παροχής 135 mA
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων 16 bit
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 2.7 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 2.3 V
Πακέτο-Κουτί TFBGA-60
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού 200 MHz

Περιγραφές

SDRAM - Μνήμη DDR IC 256Mb (16M x 16) Παράλληλη 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1