MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

Μάρκα Micron Technology Inc.
Αριθμό μοντέλου MT40A1G8SA-062E ΑΥΤΟ: Ε
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR4 Μέγεθος μνήμης 8 Gbit
Οργάνωση μνήμης 1G x 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 1,6 Ghz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα -
Χρόνος πρόσβασης - Πρόσθετη τάση 1.14V ~ 1.26V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 95°C (TC) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 78-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 78-FBGA (7.5x11)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
MT40A4G4SA-062E:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A1G8SA-075:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-075:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-075:F TR DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A512M8SA-062E:F TR DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A512M8SA-075:F DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AIT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E IT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E IT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AAT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AUT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AUT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A2G8SA-062E:F TR IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AIT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E IT:F TR IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E IT:F IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AAT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A4G4SA-062E:F TR IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A1G16TD-062E AIT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AIT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A512M8SA-062E AUT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G16TD-062E AUT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AAT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AAT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G8SA-075:H IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075 C:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4SA-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A4G4SA-062E PS:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A2G4SA-062EPS:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4SA-062E:G IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E:G IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E PS:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AIT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AAT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AIT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AUT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AAT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή

Αυτοί οι καταστολείς τάσης 1500 βατ προσφέρουν δυνατότητες χειρισμού ισχύος που βρίσκονται μόνο σε μεγαλύτερα πακέτα.Χρησιμοποιούνται συχνότερα για την προστασία από τα μεταβατικά από περιβάλλοντα επαγωγικής εναλλαγής ή επαγόμενα δευτερεύοντα αποτελέσματα κεραυνών όπως αυτά που βρίσκονται σε χαμηλότερα επίπεδα υπερχείλισης της IEC61000-4-5Με πολύ γρήγορους χρόνους απόκρισης, είναι επίσης αποτελεσματικοί στην προστασία από ESD ή EFT.Τα χαρακτηριστικά του πακέτου Powermite® περιλαμβάνουν ένα πλήρες μεταλλικό κάτω μέρος που εξαλείφει την πιθανότητα παγίδευσης της ροής συγκόλλησης κατά τη διάρκεια της συναρμολόγησηςΠαρέχουν επίσης μοναδική καρτέλα κλειδώματος που λειτουργεί ως ολοκληρωμένος απορροφητής θερμότητας.η παρασιτική επαγωγικότητα ελαχιστοποιείται για να μειωθεί η υπερβολική τάση κατά τη διάρκεια ταχείων μεταβατικών περιόδων.

Ειδικά χαρακτηριστικά

• Συσκευή επιφανειακής τοποθέτησης πολύ χαμηλού προφίλ (1,1 mm)
• Ενσωματωμένες καρτέλες κλειδώματος αποβλήτων θερμότητας
• Συμβατό με εξοπλισμό αυτόματης εισαγωγής
• Ο πλήρως μεταλλικός πυθμένας εξαλείφει την παγίδευση της ροής
• Περιοχή τάσης 5-170 βολτ
• Διαθέσιμη σε μονοκατευθυνόμενη ή αμφίδρομη λειτουργία (προσόδιο C για αμφίδρομη λειτουργία)

Μέγιστες αξιολογήσεις

• Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C έως +150°C
• Θερμοκρασία αποθήκευσης: -55°C έως +150°C
• 1500 Watt μέγιστη ισχύς παλμού (10 / 1000 μsec)
• Προχωρητικό ρεύμα κυμάτων: 200 Amps σε 8,3 ms (εκτός από αμφίδρομο)
• Ποσοστό αύξησης της επανάληψης (συντελεστής επιβαρύνσεων): 0,01%
• Θερμική αντίσταση: διασταύρωση 2,5°C/watt προς ταμπ 130°C/watt, διασταύρωση προς το περιβάλλον με συνιστώμενη απόσταση
• Θέρμανση μόλυβδου και τοποθέτησης: 260°C για 10 δευτερόλεπτα

ΑΡΧΗΣΕΙΑ / ΠΡΟΣΟΧΗ

• Προστασία από δευτερεύουσα αστραπή
• Προστασία μεταβατικής προστασίας με επαγωγική εναλλαγή
• Μικρό αποτύπωμα
• Πολύ χαμηλή παρασιτική επαγωγικότητα για ελάχιστη υπέρβαση τάσης
• Σύμφωνη με τα πρότυπα IEC61000-4-2 και IEC61000-4-4 για την προστασία ESD και EFT αντίστοιχα και με τα πρότυπα IEC61000-4-5 για τα επίπεδα υπερβολικής τάσης που ορίζονται στο παρόν

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Η Micron Technology Inc.
Κατηγορία προϊόντων Τσιπάκια IC
Δρ. Η Micron Technology Inc.
Σειρά -
Πακέτο Τραπέζι
Κατάσταση του προϊόντος Ενεργός
Τύπος μνήμης Επικίνδυνα
Φόρμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR4
Μέγεθος μνήμης 8Gb (1G x 8)
Διασύνδεση μνήμης Παράλληλα
Συνήθεια ρολογιού 1,6 GHz
Γράψτε-Cycle-Time-Word-σελίδα -
Προμήθεια τάσης 1,14V ~ 1,26V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 95°C (TC)
Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο-Κουτί 78-TFBGA
Συσκευή του προμηθευτή Επικαιροποιημένα συστήματα για την παρακολούθηση των οχημάτων
Αριθμός βασικού προϊόντος MT40Α1