71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

Μάρκα Renesas Electronics America Inc
Αριθμό μοντέλου 71V424S10YG8
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης SRAM
Τεχνολογία SRAM - Ασύγχρονος Μέγεθος μνήμης 4Mbit
Οργάνωση μνήμης 512K Χ 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών - Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 10ns
Χρόνος πρόσβασης 10 ns Πρόσθετη τάση 3V ~ 3,6V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 36-BSOJ (πλάτος 0,400», 10.16mm) Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 36-soj
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128BLL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61C5128AL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128BLL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61C5128AL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV2568EDBLL-10KLI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV2568L-10KLI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV2568L-10KLI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10K IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10K-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424YS12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή

Το IDT71V424 είναι ένα 4,194,304-bit υψηλής ταχύτητας στατική μνήμη RAM οργανωμένη ως 512K x 8. κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας υψηλής απόδοσης, υψηλής αξιοπιστίας τεχνολογία CMOS της IDT.σε συνδυασμό με καινοτόμες τεχνικές σχεδιασμού κυκλωμάτων, παρέχει μια οικονομικά αποδοτική λύση για τις ανάγκες μνήμης υψηλής ταχύτητας.

Χαρακτηριστικά

◆512K x 8 προηγμένη υψηλής ταχύτητας CMOS στατική μνήμη RAM
◆JEDEC Center Power / GND pinout για τη μείωση του θορύβου
◆Σύνομη πρόσβαση και χρόνος ποδηλασίας
Εμπορική και Βιομηχανική: 10/12/15
◆Μια μονάδα παροχής ισχύος 3.3V
◆Ένα Chip Select συν ένα Output Enable pin
◆Διδασκαλικές εισόδους και εξόδους δεδομένων άμεσα συμβατές με το TTL
◆Μικρή κατανάλωση ηλεκτρικής ενέργειας μέσω της απενεργοποίησης της επιλογής
◆Διατίθεται σε συσκευασία 36-pin, 400 ml πλαστικού SOJ και 44-pin, 400 ml TSOP.

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Συστήματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά 71V424
Τύπος Ασύγχρονη
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία
Στυλ εγκατάστασης Επενδύσεις
Πακέτο-Κουτί 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm πλάτος)
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 3 V ~ 3,6 V
Συσκευή του προμηθευτή 36-SOJ
Δυνατότητα μνήμης 4M (512K x 8)
Τύπος μνήμης SRAM - Ασύγχρονη
Ταχύτητα 10n
Χρόνος πρόσβασης 10 ns
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας + 70 C
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας 0 C
Τύπος διεπαφής Παράλληλα
Οργάνωση 512 k x 8
Μέγιστο ρεύμα παροχής 180 mA
Μέρος-#-Παρανομοιότυπα 71V424 IDT71V424S10YG8
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 3.6 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 3 V
Πακέτο-Κουτί SOJ-36
Λειτουργικό συμβατό στοιχείοΦόρμα, συσκευασία, λειτουργικό συμβατό στοιχείο
Παρασκευαστής Περιγραφή Κατασκευαστής Συγκρίνετε
Κ6R4008V1B-JC10
Μνήμη
Τυποποιημένη SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 Samsung Semiconductor 71V424S10YG8 έναντι K6R4008V1B-JC10
71V424L10YGI8
Μνήμη
SOJ-36, τροχιά Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 71V424S10YG8 έναντι 71V424L10YGI8
ΑΣ7C34096Α-10JCN
Μνήμη
Τυποποιημένη SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, χωρίς μόλυβδο, SOJ-36 Alliance Memory Inc. Επικαιροποίηση των προδιαγραφών
71V424S10YGI8
Μνήμη
SOJ-36, τροχιά Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 71V424S10YG8 έναντι 71V424S10YGI8
IS61LV5128AL-10KLI
Μνήμη
Τυπική SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, χωρίς μόλυβδο, πλαστική, MS-027, SOJ-36 Ενοποιημένη λύση πυριτίου Inc. 71V424S10YG8 έναντι IS61LV5128AL-10KLI
ΑΣ7C34096A-10JIN
Μνήμη
Τυποποιημένη SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, χωρίς μόλυβδο, SOJ-36 Alliance Memory Inc. 71V424S10YG8 έναντι AS7C34096A-10JIN
AS7C34096A-10JI
Μνήμη
Τυποποιημένη SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 Alliance Memory Inc. 71V424S10YG8 έναντι AS7C34096A-10JI

Περιγραφές

SRAM - Ασύγχρονη μνήμη IC 4Mb (512K x 8) Παράλληλη 10ns 36-SOJ
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONUS 3.3V CMOS SRAM