Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics

  • W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
Μάρκα Winbond Electronics
Αριθμό μοντέλου W979H2KBVX2I
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - Κινητή LPDDR2 Μέγεθος μνήμης 512Mbit
Οργάνωση μνήμης 16M X 32 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 400 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης - Πρόσθετη τάση 1.14V ~ 1.95V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 134-VFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 134-VFBGA (10x11.5)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I TR IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
W97AH2NBVA2I IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W979H2KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
MT42L128M32D2MH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L128M32D2MH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 IT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Το W9712G6JB είναι μια 128M bit DDR2 SDRAM, οργανωμένη ως 2,097Η συσκευή αυτή επιτυγχάνει ταχύτητες μεταφοράς έως και 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) για γενικές εφαρμογές.25ΙΤο -18 συμμορφώνεται με τις προδιαγραφές DDR2-1066 (7-7-7).Το -25/25I/25A είναι σύμφωνο με τις προδιαγραφές DDR2-800 (5-5-5) ή DDR2-800 (6-6-6) (η βιομηχανική ποιότητα 25I και η αυτοκινητοβιομηχανική ποιότητα 25A που εγγυάται υποστήριξη -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)Το -3 συμμορφώνεται με τις προδιαγραφές DDR2-667 (5-5-5).

Ειδικά χαρακτηριστικά

Δύναμη παροχής ενέργειας: VDD, VDDQ= 1,8 V ± 0,1 V
Αρχιτεκτονική διπλής ταχύτητας δεδομένων: δύο μεταφορές δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού
Κλίμακα καθυστέρησης CAS 3, 4, 5, 6 και 7
Διάρκεια εκρήξεως: 4 και 8
Μεταδίδονται / λαμβάνονται με δεδομένα αμφίδρομα, διαφορικά στροβίδικα δεδομένων (DQS και DQS)
Τμήμα ευθυγραμμισμένο με δεδομένα ανάγνωσης και κέντρο ευθυγραμμισμένο με δεδομένα εγγραφής
Το DLL ευθυγραμμίζει τις μεταβάσεις DQ και DQS με το ρολόι
Εισόδους διαφορικού ρολογιού (CLK και CLK)
Μάσκες δεδομένων (DM) για την εγγραφή δεδομένων.
Οι εντολές που εισάγονται σε κάθε θετικό άκρο CLK, δεδομένα και μάσκα δεδομένων αναφέρονται και στις δύο άκρες του DQS
Υποστηριζόμενη προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση CAS για την αποδοτικότητα της διαδρομής εντολών και δεδομένων
Διαβάστε καθυστέρηση = πρόσθετη καθυστέρηση συν καθυστέρηση CAS (RL = AL + CL)
Ρυθμίσεις αντίστασης εκτός τσιπ-οδηγού (OCD) και On-Die-Termination (ODT) για καλύτερη ποιότητα σήματος
Λειτουργία αυτόματης προφόρτισης για εκρήξεις ανάγνωσης και εγγραφής
Τρόποι αυτόματης ανανέωσης και αυτοανανέωσης
Προεγκατασταθείσα διακοπή λειτουργίας και διακοπή ενεργού λειτουργίας
Γράψτε την μάσκα δεδομένων
Γράψτε καθυστέρηση = Διαβάστε καθυστέρηση - 1 (WL = RL - 1)
Διασύνδεση: SSTL_18
Συσκευασμένο σε WBGA 84 Ball (8X12,5 mm)2), χρησιμοποιώντας υλικά χωρίς μόλυβδο και συμβατά με το RoHS

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Ηλεκτρονικά Winbond
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Τραπέζι
Πακέτο-Κουτί 134-VFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 10,14 V ~ 1,95 V
Συσκευή του προμηθευτή 134-VFBGA (10x11.5)
Δυνατότητα μνήμης 512M (16M x 32)
Τύπος μνήμης Κινητή LPDDR2 SDRAM
Ταχύτητα 400MHz
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM

Περιγραφές

SDRAM - Κινητή μνήμη LPDDR2 IC 512Mb (16M x 32) Παράλληλη 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Υψηλής ταχύτητας SDRAM, ταχύτητα ρολογιού έως 533 MHz, τέσσερις εσωτερικές τράπεζες
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI