Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.

  • 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc
Μάρκα Renesas Electronics America Inc
Αριθμό μοντέλου 70V657S10DRG
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης SRAM
Τεχνολογία SRAM - Διπλή θύρα, ασύγχρονη Μέγεθος μνήμης 1.125Mbit
Οργάνωση μνήμης 32K x 36 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών - Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 10ns
Χρόνος πρόσβασης 10 ns Πρόσθετη τάση 3,15V ~ 3,45V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 208-BFQFP Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 208-PQFP (28x28)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T651S10DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S15DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S4DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DRI IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S6DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3579S4DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S6DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S133DRI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S15DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S15DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V7599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DRGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DRG8 IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή

Το IDT70V659/58/57 είναι μια υψηλής ταχύτητας 128/64/32K x 36 Ασύγχρονη διπλή θύρα στατική μνήμη RAM.Το IDT70V659/58/57 έχει σχεδιαστεί για χρήση ως ανεξάρτητη 4/2/1Mbit Dual-Port RAM ή ως συνδυασμός MASTER / SLAVE Dual-Port RAM για σύστημα λέξεων 72-bit ή περισσότεροΗ χρήση της προσέγγισης IDT MASTERSLAVE Dual-Port RAM σε εφαρμογές συστήματος μνήμης 72-bit ή μεγαλύτερης έκτασης οδηγεί σε πλήρη ταχύτητα, χωρίς σφάλματα χωρίς την ανάγκη για πρόσθετη διακριτή λογική.

Χαρακτηριστικά

◆ Αληθινά κύτταρα μνήμης διπλής θύρας που επιτρέπουν ταυτόχρονη πρόσβαση στην ίδια θέση μνήμης
◆ Σύνδεση υψηλής ταχύτητας
Εμπορική: 10/12/15n (μέγιστο.)
Βιομηχανική: 12/15ns (μέγιστο.)
◆ Διπλό τσιπ επιτρέπει επέκταση βάθους χωρίς εξωτερική λογική
◆ Το IDT70V659/58/57 διευρύνει εύκολα το πλάτος της λεωφορείου δεδομένων σε 72 bits ή περισσότερο χρησιμοποιώντας το Master/Slave select όταν χρησιμοποιείται σε κατακλυσμιακή λειτουργία περισσότερες από μία συσκευές
◆ M/S = VIH για το σήμα εξόδου BUSY στο Master, M/S = VIL για την είσοδο BUSY στο Slave
◆ Απασχολημένες και Διακοπές στις Σημαίες
◆ Λογική διαιτησίας λιμένων στο τσιπ
◆ Πλήρης υποστήριξη του ενσωματωμένου υλικού του τσιπ για την σήμανση των σηματοδοτών μεταξύ των λιμένων
◆ Πλήρως ασύγχρονη λειτουργία από οποιοδήποτε λιμάνι
◆ Διαχωρισμένοι έλεγχοι byte για συμβατότητα πολλαπλών λεωφορείων και λεωφορείων
◆ Υποστηρίζει χαρακτηριστικά JTAG συμβατά με το IEEE 1149.1
◆ Εναλλακτική παροχή ισχύος 3.3V (± 150mV) για πυρήνα συμβατή με LVTTL
◆ Εναλλακτική παροχή ισχύος 3,3V (± 150mV) /2,5V (± 100mV) συμβατή με το LVTTL για τα σήματα I/O και ελέγχου σε κάθε θύρα
◆ Διατίθεται σε πλαστικό τετράγωνο πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό πλαστικό
◆ Η βιομηχανική θερμοκρασία (από 40°C έως +85°C) είναι διαθέσιμη για ορισμένες ταχύτητες

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Συστήματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά 70V657
Τύπος Ασύγχρονη
Συσκευή Τραπέζι
Στυλ εγκατάστασης Επενδύσεις
Πακέτο-Κουτί 208-BFQFP
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 30,15 V ~ 3,45 V
Συσκευή του προμηθευτή 208-PQFP (28x28)
Δυνατότητα μνήμης 1.125M (32K x 36)
Τύπος μνήμης SRAM - Διπλή θύρα, ασύγχρονη
Ταχύτητα 10n
Χρόνος πρόσβασης 10 ns
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας + 70 C
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας 0 C
Τύπος διεπαφής Παράλληλα
Οργάνωση 32 k x 36
Μέγιστο ρεύμα παροχής 500 mA
Μέρος-#-Παρανομοιότυπα 70V657 IDT70V657S10DRG
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 3.45 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 3.15 V
Πακέτο-Κουτί ΠΑΠ-208
Λειτουργικό συμβατό στοιχείοΦόρμα, συσκευασία, λειτουργικό συμβατό στοιχείο
Παρασκευαστής Περιγραφή Κατασκευαστής Συγκρίνετε
IDT70V657S10BFG
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, 0,80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG εναντίον IDT70V657S10BFG
70V657S10BFG
Μνήμη		 CABGA-208, Δίσκος Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG εναντίον 70V657S10BFG
70V657S10BFG8
Μνήμη		 CABGA-208, τροχός Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG εναντίον 70V657S10BFG8
IDT70V657S10BFG8
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, 0,80 MM PITCH, FPBGA-208 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG εναντίον IDT70V657S10BFG8
70V657S10BC
Μνήμη		 CABGA-256, Δίσκος Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG εναντίον 70V657S10BC
IDT70V657S10DRG
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3,50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG έναντι IDT70V657S10DRG
IDT70V657S10BCG
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG έναντι IDT70V657S10BCG
70V657S10BCG
Μνήμη		 CABGA-256, Δίσκος Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG έναντι 70V657S10BCG
IDT70V657S10BC
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG εναντίον IDT70V657S10BC
70V657S10BCG8
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc 70V657S10DRG εναντίον 70V657S10BCG8

Περιγραφές

SRAM - Διπλή θύρα, Ασύγχρονη μνήμη IC 1.125Mb (32K x 36) Παράλληλη 10ns 208-PQFP (28x28)
SRAM 32K X 36 ASYNC DP RAM
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI