MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.

Γενική περιγραφή

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signalΗ RLDRAM δεν απαιτεί πολλαπλασιασμό διευθύνσεων γραμμών/στολών και είναι βελτιστοποιημένη για γρήγορη τυχαία πρόσβαση και εύρος ζώνης υψηλής ταχύτητας.
Η RLDRAM έχει σχεδιαστεί για αποθήκευση δεδομένων επικοινωνίας, όπως τα buffers μετάδοσης ή λήψης σε συστήματα τηλεπικοινωνιών, καθώς και εφαρμογές αποθήκευσης δεδομένων ή εντολών που απαιτούν μεγάλες ποσότητες μνήμης.

Ειδικά χαρακτηριστικά

• 2,5V VEXT, 1,8V VDD, 1,8V VDDQ Ε/Υ
• Κυκλική διευθύνσεις για μέγιστο εύρος ζώνης δεδομένων
• Μη πολλαπλές διευθύνσεις
• Μη διακοπτόμενη διαδοχική έκρηξη δύο (2-bit)
prefetch) και τέσσερις (4-bit prefetch) DDR
• Στόχος 600 Mb/s/p
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση ανάγνωσης (RL) 5-8
• Ενεργοποιημένο σήμα ισχύος δεδομένων (DVLD) όταν είναι διαθέσιμα δεδομένα ανάγνωσης
• σήματα Data Mask (DM0/DM1) για να καλύψουν πρώτα και
δεύτερο μέρος της εκρήξεως δεδομένων εγγραφής
• Διαλογή ορίων JTAG σύμφωνα με το IEEE 1149.1
• Ψευδο-HSTL 1.8V παροχή I/O
• Εσωτερική αυτόματη προφόρτιση
• Απαιτήσεις ανανέωσης: 32 ms σε συνδυασμό 100 °C
θερμοκρασία (8K ανανέωση για κάθε τράπεζα, 64K ανανέωση
Η εντολή πρέπει να εκδίδεται συνολικά κάθε 32 ms)