Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Μάρκα Micron Technology Inc.
Αριθμό μοντέλου MT41K256M8DA-125: Κ
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR3L Μέγεθος μνήμης 2Gbit
Οργάνωση μνήμης 256 εκ. x 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 800 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα -
Χρόνος πρόσβασης 13,75 NS Πρόσθετη τάση 1.283V ~ 1.45V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0°C ~ 95°C (TC) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 78-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 78-FBGA (8x10.5)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

[ΜΚΑ]

ΠΡΟΕΔΡΟΣ ΕΠΙΤΡΟΠΟΙΟΣ

Για δοκιμές ραντάρ, ηλεκτρομαγνητικών και ηλεκτρονικών συστημάτων

Ο ενισχυτής ευρυζωνικής σύνδεσης MT4100 βασίζεται στην αποδεδειγμένη στην αγορά αρχιτεκτονική MT4000 TWT.

Με το μοντελοποιημένο σχεδιασμό, τη συμπαγή και αποτελεσματική συσκευασία, το MT4100 θα παρουσιάζει αξεπέραστη αξιοπιστία.

ΕΠΙΤΡΟΠΗ:

Εκτεταμένες Διαγνωστικές Ικανότητες
Προχωρημένο θερμικό σχεδιασμό
Μικρό μέγεθος
Ψύξη με σωλήνες
Αθόρυβη λειτουργία

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Η Micron Technology Inc.
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία δίσκου
Πακέτο-Κουτί 78-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας 0°C ~ 95°C (TC)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 10,283 V ~ 1,45 V
Συσκευή του προμηθευτή Επικαιροποιημένες συσκευές για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
Δυνατότητα μνήμης 2G (256M x 8)
Τύπος μνήμης DDR3L SDRAM
Ταχύτητα 800MHz
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Δρ. Η Micron Technology Inc.
Πακέτο Τραπέζι
Κατάσταση του προϊόντος Ενεργός
Τύπος μνήμης Επικίνδυνα
Φόρμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR3L
Μέγεθος μνήμης 2Gb (256M x 8)
Διασύνδεση μνήμης Παράλληλα
Συνήθεια ρολογιού 800 MHz
Γράψτε-Cycle-Time-Word-σελίδα -
Χρόνος πρόσβασης 13,75 μμ
Προμήθεια τάσης 1,283V ~ 1,45V
Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο-Κουτί 78-TFBGA
Αριθμός βασικού προϊόντος ΜΜΑ2

Λειτουργικό συμβατό στοιχείο

Φόρμα, συσκευασία, λειτουργικό συμβατό στοιχείο

Παρασκευαστής Περιγραφή Κατασκευαστής Συγκρίνετε
H5TQ2G83CFR-H9C
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, Χωρίς αλογόντα και συμβατό με το RoHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜT3ΜT3ΜT3ΜT3ΜT4ΜT4ΜT4ΜT4ΜT4ΜT4
ΜΜΕ:Μεταφορές
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, χωρίς LEAD, FBGA-78 Η Micron Technology Inc. Μονάδα εκμετάλλευσης
Ημερομηνία έναρξης ισχύος:
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc. Μικροοικονομική υποστήριξη
H5TQ2G83CFR-PBC
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, Χωρίς αλογόντα και συμβατό με το RoHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. ΜΤ2ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ5ΜΤ5ΜΤ5ΜΤ5ΜΤ5ΜΤ5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5ΜT5
H5TC2G83CFR-PBA
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, Χωρίς αλογόντα και συμβατό με το RoHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. Μικροορυκτά (βλ. παραπάνω)
ΜΜΕ:Μεταφορές
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, χωρίς LEAD, FBGA-78 Η Micron Technology Inc. Μικροοικονομικές δραστηριότητες
ΜΜΕ: ΜΜΕ: ΜΜΕ
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM HEIGHT, χωρίς μόλυβδο, FBGA-78 Η Micron Technology Inc. Μονάδα εκμετάλλευσης
H5TQ2G83DFR-RDC
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, ΑΠΟΛΟΓΙΚΟ ΑΛΟΓΟΝΙΚΟ και συμβατό με το ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. Μικροοικονομική υποστήριξη
H5TQ2G83EFR-PBC
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, Χωρίς αλογόντα και συμβατό με το RoHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. Μικροοικονομική υποστήριξη
H5TQ2G83DFR-PBC
Μνήμη		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, Χωρίς αλογόντα και συμβατό με το RoHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. Μικροοικονομική υποστήριξη

Περιγραφές

SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 2Gb (256M x 8) Παράλληλη 800MHz 13,75ns 78-FBGA (8x10.5)
Τσιπ DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI