Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, ολοκληρωμένη λύση πυριτίου Inc.

  • IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Μάρκα ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Αριθμό μοντέλου IS43R16160F-6BLI
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR Μέγεθος μνήμης 256Mbit
Οργάνωση μνήμης 16M X 16 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 166 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 700 CP Πρόσθετη τάση 2.3V ~ 2.7V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 60-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 60-TFBGA (8x13)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Ειδικά χαρακτηριστικά

• Τυποποιημένη τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Πίσω συμβατό με 1.5V
• Ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων με συχνότητα συστήματος έως και 933 MHz
• 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
• Αρχιτεκτονική 8n-Bit
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
• Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση εγγραφής CAS (CWL) με βάση το tCK
• Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
• Προγραμματιζόμενη ακολουθία εκρήξεως: διαδοχική ή διακοπή
• Εναλλαγή BL επί τόπου
• Αυτόματη ανανέωση (ASR)
• Θερμοκρασία αυτοαναζωογόνησης (SRT)
• Διαστήματα ανανέωσης:
7.8 us (8192 κύκλοι/64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
3.9 us (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
• Ορισμός μερικής συστοιχίας
• Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
• Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
• OCD (προσαρμογή αντίστασης οδηγού εκτός τσιπ)
• Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά τη λήξη της χρήσης)
• Δύναμη οδήγησης: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Γράψτε την ισοπέδωση
• Μέχρι 200 MHz σε κατάσταση απενεργοποίησης DLL
• Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής ΔΕΣΙ
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία δίσκου
Πακέτο-Κουτί 60-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 2.3 V ~ 2.7 V
Συσκευή του προμηθευτή 60-TFBGA (8x13)
Δυνατότητα μνήμης 256M (16M x 16)
Τύπος μνήμης DDR SDRAM
Ταχύτητα 166MHz
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM

Περιγραφές

SDRAM - Μνήμη DDR IC 256Mb (16M x 16) Παράλληλη 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI