Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.

  • MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.
Μάρκα Micron Technology Inc.
Αριθμό μοντέλου ΜΜΕ2ΜΜΜΜΜΜΜΜΜΜΜΜΜΜ
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Μη πτητικές, πτητικές Σχήμα μνήμης ΛΑΜΨΗ, RAM
Τεχνολογία Flash - NAND, κινητή LPDRAM Μέγεθος μνήμης 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM)
Οργάνωση μνήμης 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 208 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα -
Χρόνος πρόσβασης - Πρόσθετη τάση 1.7V ~ 1.95V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 168-WFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 168-WFBGA (12x12)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-5 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 WT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 WT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDB2432BCPA-8D-F-D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB2432BCPE-8D-F-D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDBA232B2PF-1D-F-D IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA
EDB1332BDPA-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDBA232B2PF-1D-F-R TR IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-R IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Οι συσκευές Micron NAND Flash περιλαμβάνουν μια ασύγχρονη διεπαφή δεδομένων για λειτουργίες υψηλής απόδοσης Ε/Υ. Αυτές οι συσκευές χρησιμοποιούν ένα πολύ πολλαπλασιασμένο 8-bit bus (I/Ox) για τη μεταφορά εντολών, διευθύνσεων και δεδομένων.Υπάρχουν πέντε σήματα ελέγχου που χρησιμοποιούνται για την υλοποίηση της ασυγχρόνιας διεπαφής δεδομένων: CE#, CLE, ALE, WE#, και RE#. Επιπλέον σήματα ελέγχουν την προστασία γραφής του υλικού και παρακολουθούν την κατάσταση της συσκευής (R/B#).
Αυτή η διεπαφή υλικού δημιουργεί μια συσκευή χαμηλού αριθμού πινών με ένα τυποποιημένο πινάρισμα που παραμένει το ίδιο από τη μία πυκνότητα στην άλλη, επιτρέποντας μελλοντικές αναβαθμίσεις σε υψηλότερη πυκνότητα χωρίς επανασχεδιασμό της πλακέτας.
Ένας στόχος είναι η μονάδα μνήμης στην οποία έχει πρόσβαση ένα σήμα ενεργοποίησης τσιπ. Ένας στόχος περιέχει ένα ή περισσότερα NAND Flash die.Ένα NAND Flash die είναι η ελάχιστη μονάδα που μπορεί ανεξάρτητα να εκτελεί εντολές και να αναφέρει την κατάσταση. Ένα NAND Flash die, στην προδιαγραφή ONFI, αναφέρεται ως λογική μονάδα (LUN). Υπάρχει τουλάχιστον ένα NAND Flash die ανά σήμα ενεργοποίησης chip.βλ. Οργάνωση συσκευής και συστοιχίας.
Η συσκευή αυτή διαθέτει εσωτερικό 4-bit ECC που μπορεί να ενεργοποιηθεί χρησιμοποιώντας τις δυνατότητες GET/SET.
Για περισσότερες πληροφορίες, ανατρέξτε στο εσωτερικό ECC και στη χαρτογράφηση της εφεδρικής περιοχής για το ECC.

Χαρακτηριστικά

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-συμβατό1
• τεχνολογία κυψελών ενός επιπέδου (SLC)
• Οργάνωση
Μέγεθος σελίδας x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
Διάσταση σελίδας x16: 1056 λέξεις (1024 + 32 λέξεις)
Μέγεθος μπλοκ: 64 σελίδες (128K + 4K bytes)
Μέγεθος αεροπλάνου: 2 αεροπλάνα x 2048 μπλοκ ανά αεροπλάνο
∆όρος συσκευής: 4Gb: 4096 μπλοκ; 8Gb: 8192 μπλοκ 16Gb: 16.384 μπλοκ
• Ασύγχρονη απόδοση Ε/Υ
∆ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Απόδοση συστάσεων
Διάβασμα σελίδας: 25μs 3
Σελίδα προγράμματος: 200μs (Τύπος: 1.8V, 3.3V) 3
Διάταξη ∆ιαγραφή: 700μs (TYP)
• Σύνολο εντολών: ONFI NAND Flash Protocol
• Προχωρημένο σύνολο εντολών
Διάταξη προγραμμάτων
Διαβάστε τη σελίδα σε λειτουργία μνήμης cache 4
– One-time programmable (OTP) mode
Δυοεπιχειρησιακές εντολές 4
∆ Εργασίες με διαχωρισμένο πίνακα (LUN)
Διάβασμα μοναδικού αναγνωριστικού
Διάλειψη μπλοκ (μόνο 1,8 V)
Εσωτερική μετακίνηση δεδομένων
• Το byte κατάστασης λειτουργίας παρέχει μέθοδο λογισμικού για την ανίχνευση
Ολοκλήρωση της επιχείρησης
️ Κατάσταση επιτυχίας/αποτυχίας
️ Κατάσταση προστασίας από εγγραφή
• Το σήμα Ready/Busy# (R/B#) παρέχει μια μέθοδο υλικού για την ανίχνευση της ολοκλήρωσης της λειτουργίας
• WP# σήμα: Κράτα ολόκληρη τη συσκευή
• Το πρώτο τετράγωνο (διεύθυνση τετράγωνου 00h) ισχύει όταν αποστέλλεται από το εργοστάσιο με ECC. Για το ελάχιστο απαιτούμενο ECC, βλέπε Διαχείριση σφαλμάτων.
• Το μπλοκ 0 απαιτεί 1-bit ECC εάν οι κύκλοι PROGRAM/ERASE είναι μικρότεροι από 1000
• Επαναφορά (FFh) απαιτείται ως πρώτη εντολή μετά την ενεργοποίηση
• Εναλλακτική μέθοδος εκκίνησης συσκευής (Nand_In it) μετά την ενεργοποίηση (εργοστάσιο επαφής)
• Υποστηρίζεται εσωτερική μετακίνηση δεδομένων εντός του επιπέδου από το οποίο διαβάζονται τα δεδομένα
• Ποιότητα και αξιοπιστία
Διατήρηση δεδομένων: 10 έτη
Διάρκεια: 100.000 κύκλοι προγράμματος/καθάρισης
• Πεδίο τάσης λειτουργίας
ΔΕΣ: 2,7-3,6V
ΔΕΣ: 1,7-1,95V
• Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική: 0 °C έως +70 °C
Βιομηχανική (ΙΤ): 40 oC έως + 85 oC
• Πακέτο
️ 48-pin TSOP τύπου 1, CPL2
- 63-ball VFBGA

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Η Micron Technology Inc.
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Κατηγορίες PMIC - Διαχείριση ενέργειας - Εξειδικευμένη
Κατασκευαστής Διακόσμιοι ενσωματωμένοι
Σειρά -
Μέρος-Κατάσταση Τελευταία φορά που αγόρασα
Εφαρμογές Ελεγκτής θέρμανσης
Η παροχή ρεύματος -
Προμήθεια τάσης 4 V ~ 5,5 V
Θερμοκρασία λειτουργίας -20 °C ~ 85 °C (TA)

Περιγραφές

Flash - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) Παράλληλο 208MHz
NAND Flash και Mobile LPDDR PoP
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI