Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Winbond Electronics

  • W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Winbond Electronics
Μάρκα Winbond Electronics
Αριθμό μοντέλου W9725G6KB-25 TR
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR2 Μέγεθος μνήμης 256Mbit
Οργάνωση μνήμης 16M X 16 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 400 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 400 CP Πρόσθετη τάση 1.7V ~ 1.9V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0°C ~ 85°C (TC) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 84-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 84-WBGA (8x12.5)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9725G6KB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9712G6KB-25 TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB-25 IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9725G6KB-18 TR IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6KB-18 IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB-18 TR IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB25I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6IB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6IB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6JB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG8KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Το W9725G6JB είναι μια 256M bit DDR2 SDRAM, οργανωμένη ως 4,194Η συσκευή αυτή επιτυγχάνει ταχύτητες μεταφοράς έως και 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) για διάφορες εφαρμογές.,25I, 25A, 25K και -3. Τα μέρη βαθμού -18 συμμορφώνονται με τις προδιαγραφές DDR2-1066 (7-7-7).Τα εξαρτήματα ποιότητας -25/25I/25A/25K συμμορφώνονται με τις προδιαγραφές DDR2-800 (5-5-5) ή DDR2-800 (6-6-6) (τα εξαρτήματα βιομηχανικής ποιότητας 25I που είναι εγγυημένα να υποστηρίζουν -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Τα εξαρτήματα βαθμού -3 συμμορφώνονται με τις προδιαγραφές DDR2-667 (5-5-5).

Ειδικά χαρακτηριστικά

• Τροφοδοσία ηλεκτρικής ενέργειας: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Αρχιτεκτονική διπλής ταχύτητας δεδομένων: δύο μεταφορές δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού
• CAS καθυστέρηση: 3, 4, 5, 6 και 7
• Διάρκεια εκρήξεως: 4 και 8
• Μεταδίδονται / λαμβάνονται με δεδομένα αμφίδρομα, διαφορικά στροβόλια δεδομένων (DQS και DQS)
• Τμήμα ευθυγραμμισμένο με δεδομένα ανάγνωσης και κέντρο ευθυγραμμισμένο με δεδομένα εγγραφής
• Το DLL ευθυγραμμίζει τις μεταβάσεις DQ και DQS με το ρολόι
• Διαφορετικές εισροές ρολογιού (CLK και CLK)
• Μάσκες δεδομένων (DM) για την εγγραφή δεδομένων
• Οι εντολές που εισάγονται σε κάθε θετικό άκρο CLK, δεδομένα και μάσκα δεδομένων αναφέρονται και στις δύο άκρες του DQS
• Υποστηρίζεται η προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση CAS για την αποδοτικότητα της διαδρομής εντολών και δεδομένων
• Διαβάστε καθυστέρηση = πρόσθετη καθυστέρηση συν καθυστέρηση CAS (RL = AL + CL)
• Ρυθμίσεις αντίστασης εκτός τσιπ (OCD) και On-Die-Termination (ODT) για καλύτερη ποιότητα σήματος
• Λειτουργία αυτόματης προφόρτισης για εκρήξεις ανάγνωσης και εγγραφής
• Τρόποι αυτόματης ανανέωσης και αυτοανανέωσης
• Αποσύνδεση ενεργού ρεύματος και ενεργού ρεύματος
• Γράψτε την κάλυψη δεδομένων
• Γράψτε καθυστέρηση = Διαβάστε καθυστέρηση - 1 (WL = RL - 1)
• Διασύνδεση: SSTL_18
• Συσκευάζεται σε WBGA 84 Ball (8X12.5 mm2), χρησιμοποιώντας υλικά χωρίς μόλυβδο και συμβατά με το RoHS

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Ηλεκτρονικά Winbond
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία με ταινία και κυλίνδρους (TR)
Πακέτο-Κουτί 84-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 85 °C (TC)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 10,7 V ~ 1,9 V
Συσκευή του προμηθευτή 84-WBGA (8x12.5)
Δυνατότητα μνήμης 256M (16M x 16)
Τύπος μνήμης DDR2 SDRAM
Ταχύτητα 2.5ns
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM

Περιγραφές

Μνήμη IC 84-WBGA (8x12.5)
Τσιπ DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI