MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

Γενική περιγραφή

Οι συσκευές Micron NAND Flash περιλαμβάνουν μια ασύγχρονη διεπαφή δεδομένων για λειτουργίες υψηλής απόδοσης Ε/Υ. Αυτές οι συσκευές χρησιμοποιούν ένα πολύ πολλαπλασιασμένο 8-bit bus (I/Ox) για τη μεταφορά εντολών, διευθύνσεων και δεδομένων.Υπάρχουν πέντε σήματα ελέγχου που χρησιμοποιούνται για την υλοποίηση της ασυγχρόνιας διεπαφής δεδομένων: CE#, CLE, ALE, WE#, και RE#. Επιπλέον σήματα ελέγχουν την προστασία γραφής του υλικού και παρακολουθούν την κατάσταση της συσκευής (R/B#).
Αυτή η διεπαφή υλικού δημιουργεί μια συσκευή χαμηλού αριθμού πινών με ένα τυποποιημένο πινάρισμα που παραμένει το ίδιο από τη μία πυκνότητα στην άλλη, επιτρέποντας μελλοντικές αναβαθμίσεις σε υψηλότερη πυκνότητα χωρίς επανασχεδιασμό της πλακέτας.
Ένας στόχος είναι η μονάδα μνήμης στην οποία έχει πρόσβαση ένα σήμα ενεργοποίησης τσιπ. Ένας στόχος περιέχει ένα ή περισσότερα NAND Flash die.Ένα NAND Flash die είναι η ελάχιστη μονάδα που μπορεί ανεξάρτητα να εκτελεί εντολές και να αναφέρει την κατάσταση. Ένα NAND Flash die, στην προδιαγραφή ONFI, αναφέρεται ως λογική μονάδα (LUN). Υπάρχει τουλάχιστον ένα NAND Flash die ανά σήμα ενεργοποίησης chip.βλ. Οργάνωση συσκευής και συστοιχίας.
Η συσκευή αυτή διαθέτει εσωτερικό 4-bit ECC που μπορεί να ενεργοποιηθεί χρησιμοποιώντας τις δυνατότητες GET/SET.
Για περισσότερες πληροφορίες, ανατρέξτε στο εσωτερικό ECC και στη χαρτογράφηση της εφεδρικής περιοχής για το ECC.

Χαρακτηριστικά

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-συμβατό1
• τεχνολογία κυψελών ενός επιπέδου (SLC)
• Οργάνωση
Μέγεθος σελίδας x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
Διάσταση σελίδας x16: 1056 λέξεις (1024 + 32 λέξεις)
Μέγεθος μπλοκ: 64 σελίδες (128K + 4K bytes)
Μέγεθος αεροπλάνου: 2 αεροπλάνα x 2048 μπλοκ ανά αεροπλάνο
∆όρος συσκευής: 4Gb: 4096 μπλοκ; 8Gb: 8192 μπλοκ 16Gb: 16.384 μπλοκ
• Ασύγχρονη απόδοση Ε/Υ
∆ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Απόδοση συστάσεων
Διάβασμα σελίδας: 25μs 3
Σελίδα προγράμματος: 200μs (Τύπος: 1.8V, 3.3V) 3
Διάταξη ∆ιαγραφή: 700μs (TYP)
• Σύνολο εντολών: ONFI NAND Flash Protocol
• Προχωρημένο σύνολο εντολών
Διάταξη προγραμμάτων
Διαβάστε τη σελίδα σε λειτουργία μνήμης cache 4
– One-time programmable (OTP) mode
Δυοεπιχειρησιακές εντολές 4
∆ Εργασίες με διαχωρισμένο πίνακα (LUN)
Διάβασμα μοναδικού αναγνωριστικού
Διάλειψη μπλοκ (μόνο 1,8 V)
Εσωτερική μετακίνηση δεδομένων
• Το byte κατάστασης λειτουργίας παρέχει μέθοδο λογισμικού για την ανίχνευση
Ολοκλήρωση της επιχείρησης
️ Κατάσταση επιτυχίας/αποτυχίας
️ Κατάσταση προστασίας από εγγραφή
• Το σήμα Ready/Busy# (R/B#) παρέχει μια μέθοδο υλικού για την ανίχνευση της ολοκλήρωσης της λειτουργίας
• WP# σήμα: Κράτα ολόκληρη τη συσκευή
• Το πρώτο τετράγωνο (διεύθυνση τετράγωνου 00h) ισχύει όταν αποστέλλεται από το εργοστάσιο με ECC. Για το ελάχιστο απαιτούμενο ECC, βλέπε Διαχείριση σφαλμάτων.
• Το μπλοκ 0 απαιτεί 1-bit ECC εάν οι κύκλοι PROGRAM/ERASE είναι μικρότεροι από 1000
• Επαναφορά (FFh) απαιτείται ως πρώτη εντολή μετά την ενεργοποίηση
• Εναλλακτική μέθοδος εκκίνησης συσκευής (Nand_In it) μετά την ενεργοποίηση (εργοστάσιο επαφής)
• Υποστηρίζεται εσωτερική μετακίνηση δεδομένων εντός του επιπέδου από το οποίο διαβάζονται τα δεδομένα
• Ποιότητα και αξιοπιστία
Διατήρηση δεδομένων: 10 έτη
Διάρκεια: 100.000 κύκλοι προγράμματος/καθάρισης
• Πεδίο τάσης λειτουργίας
ΔΕΣ: 2,7-3,6V
ΔΕΣ: 1,7-1,95V
• Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική: 0 °C έως +70 °C
Βιομηχανική (ΙΤ): 40 oC έως + 85 oC
• Πακέτο
️ 48-pin TSOP τύπου 1, CPL2
- 63-ball VFBGA