Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Μάρκα Micron Technology Inc.
Αριθμό μοντέλου ΜΜΕΠΟΥΛΟΓΙΚΗ ΔΙΚΑΛΟΓΙΑ
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR2 Μέγεθος μνήμης 512Mbit
Οργάνωση μνήμης 128M x 4 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 400 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 400 CP Πρόσθετη τάση 1.7V ~ 1.9V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0°C ~ 85°C (TC) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 60-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 60-FBGA (8x10)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ️ 32 Meg x 4 x 8 τράπεζες
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 τράπεζες
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 τράπεζες

Χαρακτηριστικά

• VDD = 1,8V ± 0,1V, VDDQ = 1,8V ± 0,1V
• Εισαγωγές/Εξόδους 1.8V σύμφωνα με το πρότυπο JEDEC (συμβατό με το SSTL_18)
• Διαφορετική ανάλυση δεδομένων (DQS, DQS#)
• Αρχιτεκτονική 4n-bit prefetch
• Επιλογή διπλής ανάλυσης (RDQS) για x8
• DLL για την ευθυγράμμιση των μεταβολών DQ και DQS με CK
• 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS (CL)
• Δημοσιευμένη καθυστέρηση πρόσθετης CAS (AL)
• ΚΑΤΑΡΙΣΗ ΓΡΑΦΗΣ = ΚΑΤΑΡΙΣΗ ΚΑΤΑΡΙΣΗΣ - 1 tCK
• Επιλέξιμα μήκη εκρήξεως (BL): 4 ή 8
• Ρυθμιζόμενη ισχύς κίνησης δεδομένων-εξόδου
• 64ms, ανανέωση 8192 κύκλων
• Τερματισμός κατά τη θανάτωση (ODT)
• Επιλογή βιομηχανικής θερμοκρασίας (IT)
• Επιλογή θερμοκρασίας οχήματος (AT)
• Συμμόρφωση με το RoHS
• Υποστηρίζει την προδιαγραφή JEDEC clock jitter

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Η Micron Technology Inc.
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Τραπέζι
Πακέτο-Κουτί 60-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 85 °C (TC)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 10,7 V ~ 1,9 V
Συσκευή του προμηθευτή 60-FBGA (8x10)
Δυνατότητα μνήμης 512M (128Mx4)
Τύπος μνήμης DDR2 SDRAM
Ταχύτητα 2.5ns
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM

Περιγραφές

SDRAM - DDR2 Μνήμη IC 512Mb (128M x 4) Παράλληλη 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Τσιπ DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60-Pin FBGA
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI