MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.

Γενική περιγραφή

Η DDR333 SDRAM είναι μια υψηλής ταχύτητας μνήμη CMOS, δυναμικής τυχαίας πρόσβασης που λειτουργεί σε συχνότητα 167 MHz (tCK=6ns) με μέγιστο ρυθμό μεταφοράς δεδομένων 333Mb/s/p.Το DDR333 συνεχίζει να χρησιμοποιεί το πρότυπο JEDEC SSTL_2 και την αρχιτεκτονική 2n-prefetch.

Ειδικά χαρακτηριστικά

• 167 MHz, 333 Mb/s/p
•VDD= +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• Δυομετρική ανάλυση δεδομένων (DQS) που μεταδίδεται/αποδέχεται με δεδομένα, δηλαδή συγχρονισμένη συλλογή δεδομένων από την πηγή (x16 έχει δύο - ένα ανά byte)
• Εσωτερική αρχιτεκτονική διπλής ταχύτητας δεδομένων (DDR)
• Διαφορετικές εισόδους ρολογιού (CK και CK#)
• Εντοπίστε εντολές σε κάθε θετική άκρη CK
• DQS ευθυγραμμισμένη με τα δεδομένα των READ, κεντρική ευθυγραμμισμένη με τα δεδομένα των WRITE
• DLL για την ευθυγράμμιση των μεταβολών DQ και DQS με CK
• Τέσσερις εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
• Μάσκα δεδομένων (DM) για την κάλυψη των δεδομένων εγγραφής (x16 έχει δύο - ένα ανά byte)
• Προγραμματιζόμενα μήκη εκρήξεων: 2, 4 ή 8
• Υποστηρίζεται η επιλογή συγχρονικής αυτόματης προφόρτισης
• Τρόποι αυτόματης ανανέωσης και αυτοανανέωσης
• Διαθέσιμο πακέτο FBGA
• 2.5V I/O (συμβατό με SSTL_2)
• αποκλεισμός tRAS (tRAP = tRCD)
• Εναλλακτική συμβατότητα με DDR200 και DDR266