Όλα τα Προϊόντα
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ενότητα ολοκληρωμένου κυκλώματος RF
-
Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης
-
Μονάδα μικροελεγκτών MCU
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα FPGA
-
Αισθητήρας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ολοκληρωμένα κυκλώματα διεπαφών
-
Ψηφιακός Opto μονωτής
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ΑΠΟΜΟΝΩΤΩΝ λογικής
-
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα συγχρονισμού ρολογιών
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αποκτήσεων στοιχείων
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc.

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.
xΛεπτομέρειες
Τύπος μνήμης | Αμετάβλητος | Σχήμα μνήμης | ΛΑΜΨΗ |
---|---|---|---|
Τεχνολογία | ΛΑΜΨΗ - NAND (MLC) | Μέγεθος μνήμης | 512Gbit |
Οργάνωση μνήμης | 64G Χ 8 | Διεπαφή μνήμης | Παράλληλα |
Συχνότητα ρολογιών | 166 MHz | Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα | - |
Χρόνος πρόσβασης | - | Πρόσθετη τάση | 2.7V ~ 3.6V |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
Πακέτο / Κουτί | 152-TBGA | Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | 152-TBGA (14x18) |
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCABH7-6:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCABH7-6R:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6C:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6R:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMECBH7-12:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMEABH7-12:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AKEBBH7-12:B | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AMEBBH7-12:B | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKECBH7-12:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
Περιγραφή προϊόντων
Λεπτομέρειες για το προϊόν
Γενική περιγραφή
Οι συσκευές Micron NAND Flash περιλαμβάνουν ασύγχρονη διεπαφή δεδομένων για λειτουργίες I/O υψηλών επιδόσεων.Υπάρχουν πέντε σήματα ελέγχου που χρησιμοποιούνται για την υλοποίηση της asyn chronous διεπαφής δεδομένων: CE#, CLE, ALE, WE# και RE#. Επιπλέον σήματα ελέγχου προστασίας γραφής υλικού (WP#) και ελέγχου της κατάστασης της συσκευής (R/B#).
Χαρακτηριστικά
• Ανοιχτή διεπαφή NAND Flash (ONFI) 2.2 συμμορφούμενη1• Τεχνολογία πολλαπλών επιπέδων κυττάρων (MLC)
• Οργάνωση
Μέγεθος σελίδας x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
Μέγεθος μπλοκ: 256 σελίδες (2048K + 112K bytes)
Μέγεθος αεροπλάνου: 2 αεροπλάνα x 2048 μπλοκ ανά αεροπλάνο
Διάσταση συσκευής: 64Gb: 4096 μπλοκ.
128Gb: 8192 μπλοκ·
256Gb: 16.384 μπλοκ·
512Gb: 32.786 μπλοκ
• Σύγχρονη απόδοση Ε/Υ
∆ έως και συγχρονισμένη λειτουργία συγχρονισμού 5
∆οκιμαστική ταχύτητα: 10ns (DDR)
Δυνατότητα ανάγνωσης/γράφησης ανά πιν: 200 MT/s
• Ασύγχρονη απόδοση Ε/Υ
∆ έως και ασύγχρονη λειτουργία συγχρονισμού 5
Επικεφαλής
tRC/tWC: 20ns (MIN)
• Απόδοση συστάσεων
Διάβασμα σελίδας: 50μs (MAX)
Σελίδα προγράμματος: 1300μs (TYP)
Διάλειμμα διαγραφής: 3ms (TYP)
• Περιοχή τάσης λειτουργίας
ΔΕΣ: 2,7-3,6V
Δύναμη εκτέλεσης:
• Σύνολο εντολών: ONFI NAND Flash Protocol
• Προχωρημένο σύνολο εντολών
️ Κασέ προγράμματος
Διαβάστε τη διαδοχική μνήμη αποθήκευσης
Διαβάστε τυχαία την αποθήκευση
– One-time programmable (OTP) mode
Διοίκηση πολλαπλών επιπέδων
∆εκατεθνείς δραστηριότητες
Διάβασμα μοναδικού αναγνωριστικού
️ Αντίγραφο
• Το πρώτο τεμάχιο (διεύθυνση τεμάχιας 00h) ισχύει κατά την αποστολή
Για το ελάχιστο απαιτούμενο ECC, βλ.
Διαχείριση σφαλμάτων (σελ. 109).
• Επαναφορά (FFh) απαιτείται ως πρώτη εντολή μετά την ενεργοποίηση
σε
• Το byte κατάστασης λειτουργίας παρέχει τη μέθοδο λογισμικού για
ανίχνευση
Ολοκλήρωση της επιχείρησης
️ Κατάσταση επιτυχίας/αποτυχίας
️ Κατάσταση προστασίας από εγγραφή
• Τα σήματα DQS παρέχουν μια μέθοδο υλικού
για τη συγχρονισμό δεδομένων DQ στο συγχρονισμένο
Διασύνδεση
• Υποστηρίζονται οι εργασίες αντιγραφής στο αεροπλάνο
από το οποίο διαβάζονται τα δεδομένα
• Ποιότητα και αξιοπιστία
Διατήρηση δεδομένων: 10 έτη
Διάρκεια: 5000 κύκλοι PROGRAM/ERASE
• Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική: 0 °C έως +70 °C
Βιομηχανική (ΙΤ): 40 oC έως + 85 oC
• Πακέτο
️ 52-pad LGA
️ 48-pin TSOP
100 μπάλες
Προδιαγραφές
Ειδικότητα | Αξία χαρακτηριστικού |
---|---|
Κατασκευαστής | Η Micron Technology Inc. |
Κατηγορία προϊόντων | Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης |
Σειρά | - |
Συσκευή | Εναλλακτική συσκευασία με ταινία και κυλίνδρους (TR) |
Πακέτο-Κουτί | - |
Θερμοκρασία λειτουργίας | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
Διασύνδεση | Παράλληλα |
Προμήθεια τάσης | 2.7 V ~ 3.6 V |
Συσκευή του προμηθευτή | - |
Δυνατότητα μνήμης | 512G (64G x 8) |
Τύπος μνήμης | Flash - NAND |
Ταχύτητα | - |
Φόρμα-μνήμη | ΦΛΑΣ |
Περιγραφές
Flash - μνήμη NAND IC 512Gb (64G x 8) παράλληλη 166MHz
Συνιστώμενα προϊόντα