Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Infineon Technologies

  • CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Infineon Technologies
Μάρκα Infineon Technologies
Αριθμό μοντέλου CYDM256B16-55BVXI
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης SRAM
Τεχνολογία SRAM - Διπλή θύρα, MoBL Μέγεθος μνήμης 256Kbit
Οργάνωση μνήμης 16K Χ 16 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών - Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 55ns
Χρόνος πρόσβασης 55 NS Πρόσθετη τάση 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 100-VFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 100-VFBGA (6x6)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B08-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-90BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064B16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX128A16-90BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128B16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-65BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-90BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B08-40BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B08-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-40BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-40BVXIT IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXIT IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM128B08-40BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B08-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-40BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-40BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-40BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-40BVXIT IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-55BVXIT IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX064A16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-90BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-90BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-65BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-90BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128B16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX064B16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Αντίστοιχοι ακρίβειας με άξονα μόλυβδο

Η γκάμα Holco των αντίστοιχων ταινιών μεταλλικής ακριβείας ανταποκρίνεται στην απαίτηση για οικονομικά προσιτά εξαρτήματα για βιομηχανικές και στρατιωτικές εφαρμογές.Η εγκατάσταση παραγωγής χρησιμοποιεί στενά ελεγχόμενες διαδικασίες παραγωγής, συμπεριλαμβανομένης της επικάλυψης με ψεκασμό ταινιών από κράμα μετάλλων σε κεραμικά υπόστρωμα.Για την προστασία του περιβάλλοντος και τη μηχανική προστασία εφαρμόζεται επικάλυψη από επωξικό.Εμπορικά η σειρά είναι διαθέσιμη σε δύο μεγέθη θήκηςΤο H8 είναι διαθέσιμο μέσω διανομής. Το H8 είναι διαθέσιμο με απελευθέρωση στο BS CECC 40101 004, 030 και 804.

Βασικά χαρακτηριστικά

■ Υπερισσότερη ακρίβεια - Κάτω στο 0,05%
■ Διαθέσιμα παρόμοια σύνολα έως 2ppm/°C
■ Αντιστέκει σε υψηλό παλμό
■ Χαμηλή αντιδραστικότητα
■ Χαμηλή TCR - Μέχρι 5ppm/°C
■ Μακροπρόθεσμη σταθερότητα
■ Μέχρι 1 Watt σε θερμοκρασία 70°C
■ Εκδόθηκε στο CECC 40101 004, 030 και 804

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Κύπρος ημιαγωγός
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά CYDM256B16
Τύπος Ασύγχρονη
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία δίσκου
Στυλ εγκατάστασης Επενδύσεις
Εμπορική ονομασία MoBL
Πακέτο-Κουτί 100 VFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V
Συσκευή του προμηθευτή 100 VFBGA (6x6)
Δυνατότητα μνήμης 256K (16K x 16)
Τύπος μνήμης SRAM - Διπλή θύρα, MoBL
Ταχύτητα 55n
Ποσοστό δεδομένων Ειδικά ΔΔΑ
Χρόνος πρόσβασης 55 μs
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας + 85 C
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας - 40 C.
Τύπος διεπαφής Παράλληλα
Οργάνωση 16 k x 16
Μέγιστο ρεύμα παροχής 25 mA
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 1.9 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 1.7 V
Πακέτο-Κουτί BGA-100

Λειτουργικό συμβατό στοιχείο

Φόρμα, συσκευασία, λειτουργικό συμβατό στοιχείο

Παρασκευαστής Περιγραφή Κατασκευαστής Συγκρίνετε
IDT70P9268L50BZG
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc CYDM256B16-55BVXI έναντι IDT70P9268L50BZG
CYDMX256B16-65BVXI
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0,50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100 Κύπρος ημιαγωγός Το CYDM256B16-55BVXI έναντι του CYDMX256B16-65BVXI
CYDMX256A16-65BVXI
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0,50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100 Κύπρος ημιαγωγός Το CYDM256B16-55BVXI έναντι του CYDMX256A16-65BVXI
CYDM256B16-55BVXIT
Μνήμη		 Πολλαπλές θύρες SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0,50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100 Κύπρος ημιαγωγός Το CYDM256B16-55BVXI έναντι του CYDM256B16-55BVXIT
IDT70P926850BZGI
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc CYDM256B16-55BVXI έναντι IDT70P926850BZGI
IDT70P926850BZG
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc CYDM256B16-55BVXI έναντι IDT70P926850BZG
CYDM256B16-55BVXC
Μνήμη		 16KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0,50 MM PITCH, χωρίς μόλυβδο, MO-195C, VFBGA-100 Η Rochester Electronics LLC CYDM256B16-55BVXI έναντι CYDM256B16-55BVXC
70P265L90BYGI
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0,5 mm PITCH, GREEN, BGA-100 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc CYDM256B16-55BVXI έναντι 70P265L90BYGI
IDT70P9268L50BZGI
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc CYDM256B16-55BVXI έναντι IDT70P9268L50BZGI
70P265L90BYGI8
Μνήμη		 Δύο θύρες SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0,50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 Ενοποιημένη τεχνολογία συσκευών Inc CYDM256B16-55BVXI έναντι 70P265L90BYGI8

Περιγραφές

SRAM - Διπλή θύρα, μνήμη IC MoBL 256Kb (16K x 16) παράλληλη 55ns 100-VFBGA (6x6)
SRAM Chip Async Δύο 1.8V 256K-Bit 16K x 16 55ns 100-Pin VFBGA Θήκη
SRAM 256K 16Kx16 MoBL Διπλή θύρα IND
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI