MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I Micron Technology Inc.

Μάρκα Micron Technology Inc.
Αριθμό μοντέλου ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Αμετάβλητος Σχήμα μνήμης ΛΑΜΨΗ
Τεχνολογία ΛΑΜΨΗ - ΟΥΤΕ Μέγεθος μνήμης 4Mbit
Οργάνωση μνήμης 512K Χ 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών - Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 80ns
Χρόνος πρόσβασης 80 NS Πρόσθετη τάση 3V ~ 3,6V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 40-TFSOP (0,724", 18,40mm πλάτος) Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 40-TSOP I
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Οι συσκευές MT28F004B3 (x8) και MT28F400B3 (x16/x8) είναι μη πτητικές, ηλεκτρικά διαγράφιμες (flash), προγραμματιζόμενες συσκευές μνήμης που περιέχουν 4,194Η εγγραφή ή διαγραφή της συσκευής γίνεται είτε με τάση 3.3V είτε 5V VPP, ενώ όλες οι λειτουργίες εκτελούνται με τάση 3.3V VCCΛόγω των εξελίξεων της τεχνολογίας της διαδικασίας, η 5V VPP είναι βέλτιστη για την εφαρμογή και τον προγραμματισμό παραγωγής.
Το MT28F004B3 και το MT28F400B3 είναι οργανωμένα σε επτά ξεχωριστά διαγράφσιμα μπλοκ.οι συσκευές διαθέτουν προστατευόμενο από υλικό μπλοκ εκκίνησης. Για να γράψετε ή να διαγράψετε το μπλοκ εκκίνησης απαιτείται είτε να εφαρμόσετε υπερτάσεις στην καρφίτσα RP# είτε να οδηγήσετε το WP# HIGH εκτός από την εκτέλεση των κανονικών ακολουθιών εγγραφής ή διαγραφής.Αυτό το μπλοκ μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την αποθήκευση κώδικα που εφαρμόζεται στην ανάκτηση συστήματος χαμηλού επιπέδου.Τα υπόλοιπα μπλοκ διαφέρουν σε πυκνότητα και γράφονται και διαγράφονται χωρίς πρόσθετα μέτρα ασφαλείας.

Ειδικά χαρακτηριστικά

• Επτά μπλοκ διαγραφής:
16KB/8K-word boot block (προστατευμένο)
Δύο τετράγωνα παραμέτρων λέξεων 8KB/4K
Τέσσερα κύρια μπλοκ μνήμης
• Τεχνολογία Smart 3 (B3):
3.3V ±0.3V VCC
3Προγραμματισμός εφαρμογών VPP ± 0,3V
Προγραμματισμός εφαρμογής/παραγωγής 5V ±10% VPP1
• Συμβατό με συσκευή Smart 3 μήκους 0,3μm
• Προχωρημένη διαδικασία CMOS πλωτής πύλης 0,18 μm
• Χρόνος πρόσβασης στη διεύθυνση: 80ns
• 100.000 κύκλοι ERASE
• Τεχνικά πρότυπα
• Οι εισροές και οι εξόδοι είναι πλήρως συμβατές με το TTL
• Αυτοματοποιημένος αλγόριθμος εγγραφής και διαγραφής
• Δύο κύκλους ακολουθίας WRITE/ERASE
• Διαβάστε και Γράψτε σε πλήρη κλίμακα
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Διαβάστε και γράψτε μόνο
(MT28F004B3, 512K x 8)
• επιλογές συσκευασίας TSOP και SOP

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Η Micron Technology Inc.
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Τραπέζι
Πακέτο-Κουτί 40-TFSOP (0,724", 18,40mm πλάτος)
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 3 V ~ 3,6 V
Συσκευή του προμηθευτή 40-TSOP I
Δυνατότητα μνήμης 4M (512K x 8)
Τύπος μνήμης ΦΛΑΣΧ - Ούτε
Ταχύτητα 80n
Φόρμα-μνήμη ΦΛΑΣ

Περιγραφές

Flash - NOR Μνήμη IC 4Mb (512K x 8) Παράλληλο 80ns 40-TSOP I