MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Micron Technology Inc.

Γενική περιγραφή

Οι συσκευές MT28F004B3 (x8) και MT28F400B3 (x16/x8) είναι μη πτητικές, ηλεκτρικά διαγράφιμες (flash), προγραμματιζόμενες συσκευές μνήμης που περιέχουν 4,194Η εγγραφή ή διαγραφή της συσκευής γίνεται είτε με τάση 3.3V είτε 5V VPP, ενώ όλες οι λειτουργίες εκτελούνται με τάση 3.3V VCCΛόγω των εξελίξεων της τεχνολογίας της διαδικασίας, η 5V VPP είναι βέλτιστη για την εφαρμογή και τον προγραμματισμό παραγωγής.
Το MT28F004B3 και το MT28F400B3 είναι οργανωμένα σε επτά ξεχωριστά διαγράφσιμα μπλοκ.οι συσκευές διαθέτουν προστατευόμενο από υλικό μπλοκ εκκίνησης. Για να γράψετε ή να διαγράψετε το μπλοκ εκκίνησης απαιτείται είτε να εφαρμόσετε υπερτάσεις στην καρφίτσα RP# είτε να οδηγήσετε το WP# HIGH εκτός από την εκτέλεση των κανονικών ακολουθιών εγγραφής ή διαγραφής.Αυτό το μπλοκ μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την αποθήκευση κώδικα που εφαρμόζεται στην ανάκτηση συστήματος χαμηλού επιπέδου.Τα υπόλοιπα μπλοκ διαφέρουν σε πυκνότητα και γράφονται και διαγράφονται χωρίς πρόσθετα μέτρα ασφαλείας.

Ειδικά χαρακτηριστικά

• Επτά μπλοκ διαγραφής:
16KB/8K-word boot block (προστατευμένο)
Δύο τετράγωνα παραμέτρων λέξεων 8KB/4K
Τέσσερα κύρια μπλοκ μνήμης
• Τεχνολογία Smart 3 (B3):
3.3V ±0.3V VCC
3Προγραμματισμός εφαρμογών VPP ± 0,3V
Προγραμματισμός εφαρμογής/παραγωγής 5V ±10% VPP1
• Συμβατό με συσκευή Smart 3 μήκους 0,3μm
• Προχωρημένη διαδικασία CMOS πλωτής πύλης 0,18 μm
• Χρόνος πρόσβασης στη διεύθυνση: 80ns
• 100.000 κύκλοι ERASE
• Τεχνικά πρότυπα
• Οι εισροές και οι εξόδοι είναι πλήρως συμβατές με το TTL
• Αυτοματοποιημένος αλγόριθμος εγγραφής και διαγραφής
• Δύο κύκλους ακολουθίας WRITE/ERASE
• Διαβάστε και Γράψτε σε πλήρη κλίμακα
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Διαβάστε και γράψτε μόνο
(MT28F004B3, 512K x 8)
• επιλογές συσκευασίας TSOP και SOP