IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, ολοκληρωμένη λύση πυριτίου Inc

Μάρκα ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Αριθμό μοντέλου IS43TR85120A-15HBL-TR
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR3 Μέγεθος μνήμης 4Gbit
Οργάνωση μνήμης 512M X 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 667 MHZ Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 20 ns Πρόσθετη τάση 1.425V ~ 1.575V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0°C ~ 95°C (TC) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 78-TFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 78-TWBGA (9x10.5)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-15HBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-15HBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-15HBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBL IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBLI IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBLI-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBL-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBL IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBLI IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBL-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBLI-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120AL-107MBLA2-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-107MBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-107MBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120AL-125KBLA1-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120A-125KBLA2 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS46TR85120AL-125KBLA2 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120A-125KBLA2-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS46TR85120AL-125KBLA1 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120AL-107MBLA2 IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Ειδικά χαρακτηριστικά

● Τυπική τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
● Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Πίσω συμβατό με 1.5V
● Ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων με συχνότητα συστήματος έως και 1066 MHz
● 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
● Αρχιτεκτονική 8n-Bit προ-αναζήτησης
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
● Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS WRITE (CWL) με βάση το tCK
● Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
● Προγραμματισμένη ακολουθία εκρήξεων: Διαδοχική ή διασταυρούμενη
● Εναλλαγή BL στην πτήση
● Αυτόματη ανανέωση (ASR)
● Αυτοανανεώσιμη θερμοκρασία (SRT)
● Διαστήματα ανανέωσης:
7.8 us (8192 κύκλοι/64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
3.9 us (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
● Μερική Συνολική Αυτοαναζωογόνηση
● Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
● Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
● OCD (προσαρμογή αντίστασης οδηγού εκτός τσιπ)
● Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά τη σπατάλη)
● Δύναμη οδήγησης: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Γράψτε την ισοπέδωση
● Μέχρι 200 MHz σε κατάσταση απενεργοποίησης DLL
● Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής ΔΕΣΙ
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία με ταινία και κυλίνδρους (TR)
Πακέτο-Κουτί 78-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 10,425 V ~ 1,575 V
Συσκευή του προμηθευτή 78-TWBGA (9x10.5)
Δυνατότητα μνήμης 4G (512M x 8)
Τύπος μνήμης DDR3 SDRAM
Ταχύτητα 667MHz
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM

Περιγραφές

SDRAM - DDR3 Μνήμη IC 4Gb (512M x 8) Παράλληλη 667MHz 20ns 78-TWBGA (9x10.5)