Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Zhao
Τηλεφωνικό νούμερο : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA Micron Technology Inc.

  • MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA Micron Technology Inc.
Μάρκα Micron Technology Inc.
Αριθμό μοντέλου MT29F256G08CKCDBJ5-6R: Δ
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Αμετάβλητος Σχήμα μνήμης ΛΑΜΨΗ
Τεχνολογία ΛΑΜΨΗ - NAND (MLC) Μέγεθος μνήμης 256Gbit
Οργάνωση μνήμης 32G Χ 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 167 MHZ Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα -
Χρόνος πρόσβασης - Πρόσθετη τάση 2.7V ~ 3.6V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί - Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 132-TBGA (12x18)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D IC FLASH 128GBIT PARALLEL 83MHZ
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Οι συσκευές Micron NAND Flash περιλαμβάνουν ασύγχρονη διεπαφή δεδομένων για λειτουργίες I/O υψηλών επιδόσεων.Υπάρχουν πέντε σήματα ελέγχου που χρησιμοποιούνται για την υλοποίηση της asyn chronous διεπαφής δεδομένων: CE#, CLE, ALE, WE# και RE#. Επιπλέον σήματα ελέγχου προστασίας γραφής υλικού (WP#) και ελέγχου της κατάστασης της συσκευής (R/B#).

Χαρακτηριστικά

• Ανοιχτή διεπαφή NAND Flash (ONFI) 2.2 συμμορφούμενη1
• Τεχνολογία πολλαπλών επιπέδων κυττάρων (MLC)
• Οργάνωση
Μέγεθος σελίδας x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
Μέγεθος μπλοκ: 256 σελίδες (2048K + 112K bytes)
Μέγεθος αεροπλάνου: 2 αεροπλάνα x 2048 μπλοκ ανά αεροπλάνο
Διάσταση συσκευής: 64Gb: 4096 μπλοκ.
128Gb: 8192 μπλοκ·
256Gb: 16.384 μπλοκ·
512Gb: 32.786 μπλοκ
• Σύγχρονη απόδοση Ε/Υ
∆ έως και συγχρονισμένη λειτουργία συγχρονισμού 5
∆οκιμαστική ταχύτητα: 10ns (DDR)
Δυνατότητα ανάγνωσης/γράφησης ανά πιν: 200 MT/s
• Ασύγχρονη απόδοση Ε/Υ
∆ έως και ασύγχρονη λειτουργία συγχρονισμού 5
Επικεφαλής
tRC/tWC: 20ns (MIN)
• Απόδοση συστάσεων
Διάβασμα σελίδας: 50μs (MAX)
Σελίδα προγράμματος: 1300μs (TYP)
Διάλειμμα διαγραφής: 3ms (TYP)
• Περιοχή τάσης λειτουργίας
ΔΕΣ: 2,7-3,6V
Δύναμη εκτέλεσης:
• Σύνολο εντολών: ONFI NAND Flash Protocol
• Προχωρημένο σύνολο εντολών
️ Κασέ προγράμματος
Διαβάστε τη διαδοχική μνήμη αποθήκευσης
Διαβάστε τυχαία την αποθήκευση
– One-time programmable (OTP) mode
Διοίκηση πολλαπλών επιπέδων
∆εκατεθνείς δραστηριότητες
Διάβασμα μοναδικού αναγνωριστικού
️ Αντίγραφο
• Το πρώτο τεμάχιο (διεύθυνση τεμάχιας 00h) ισχύει κατά την αποστολή
Για το ελάχιστο απαιτούμενο ECC, βλ.
Διαχείριση σφαλμάτων (σελ. 109).
• Επαναφορά (FFh) απαιτείται ως πρώτη εντολή μετά την ενεργοποίηση
σε
• Το byte κατάστασης λειτουργίας παρέχει τη μέθοδο λογισμικού για
ανίχνευση
Ολοκλήρωση της επιχείρησης
️ Κατάσταση επιτυχίας/αποτυχίας
️ Κατάσταση προστασίας από εγγραφή
• Τα σήματα DQS παρέχουν μια μέθοδο υλικού
για τη συγχρονισμό δεδομένων DQ στο συγχρονισμένο
Διασύνδεση
• Υποστηρίζονται οι εργασίες αντιγραφής στο αεροπλάνο
από το οποίο διαβάζονται τα δεδομένα
• Ποιότητα και αξιοπιστία
Διατήρηση δεδομένων: 10 έτη
Διάρκεια: 5000 κύκλοι PROGRAM/ERASE
• Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική: 0 °C έως +70 °C
Βιομηχανική (ΙΤ): 40 oC έως + 85 oC
• Πακέτο
️ 52-pad LGA
️ 48-pin TSOP
100 μπάλες

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Η Micron Technology Inc.
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά -
Συσκευή * Εναλλακτική συσκευασία
Πακέτο-Κουτί *
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 2.7 V ~ 3.6 V
Συσκευή του προμηθευτή *
Δυνατότητα μνήμης 256G (32G x 8)
Τύπος μνήμης Flash - NAND
Ταχύτητα -
Φόρμα-μνήμη ΦΛΑΣ

Περιγραφές

Flash - μνήμη NAND IC 256Gb (32G x 8) παράλληλη 167MHz
NAND FLASH, MLC NAND
Ετικέττες:

Σταθερό ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης μη πτητικό

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης SPI