DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Μάρκα Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Αριθμό μοντέλου DS1220AD-100IND+
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Αμετάβλητος Σχήμα μνήμης NVSRAM
Τεχνολογία NVSRAM (αμετάβλητο SRAM) Μέγεθος μνήμης 16Kbit
Οργάνωση μνήμης 2K Χ 8 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών - Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 100ns
Χρόνος πρόσβασης 100 NS Πρόσθετη τάση 4.5V ~ 5.5V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA) Τύπος στερέωσης Μέσα από την τρύπα
Πακέτο / Κουτί 24-ΕΜΒΥΘΙΣΗ ενότητα (0,600», 15.24mm) Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 24-EDIP
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-120+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-120+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-120 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-150 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-120 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή

Οι DS1220AB και DS1220AD 16k Nonvolatile SRAMs είναι 16,384-bit, πλήρως στατικές, μη πτητικές SRAM που οργανώνονται ως 2048 λέξεις με 8 bits.Κάθε NV SRAM διαθέτει μια αυτοτελή πηγή ενέργειας λιθίου και κυκλώματα ελέγχου που παρακολουθούν συνεχώς το VCC για κατάσταση εκτός ανοχής.Όταν συμβαίνει μια τέτοια κατάσταση, η πηγή ενέργειας λιθίου ενεργοποιείται αυτόματα και η προστασία γραφής ενεργοποιείται άνευ όρων για την πρόληψη της διαφθοράς των δεδομένων.Οι NV SRAMs μπορούν να χρησιμοποιηθούν αντί των υφιστάμενων 2k x 8 SRAMs που συμμορφώνονται άμεσα με το δημοφιλές πρότυπο DIP 24-pinΟι συσκευές ταιριάζουν επίσης με το pinout της 2716 EPROM και της 2816 EEPROM, επιτρέποντας την άμεση υποκατάσταση, βελτιώνοντας παράλληλα τις επιδόσεις.Δεν υπάρχει όριο στον αριθμό των κύκλων εγγραφής που μπορούν να εκτελεστούν και δεν απαιτείται πρόσθετο κύκλωμα υποστήριξης για τη διασύνδεση μικροεπεξεργαστή.

Ειδικά χαρακτηριστικά

■ 10 έτη ελάχιστη διατήρηση δεδομένων σε περίπτωση απουσίας εξωτερικής ισχύος
■ Τα δεδομένα προστατεύονται αυτόματα κατά την απώλεια ισχύος
■ Αντικαθιστά άμεσα 2k x 8 πτητικές στατικές μνήμες RAM ή EEPROM
■ Απεριόριστοι κύκλοι εγγραφής
■ CMOS χαμηλής ισχύος
■ Πρότυπο JEDEC 24-pin DIP πακέτο
■ Χρόνοι πρόσβασης ανάγνωσης και εγγραφής 100 ns
■ Η πηγή ενέργειας λιθίου αποσυνδέεται ηλεκτρικά για να διατηρηθεί φρέσκια μέχρι την πρώτη ενεργοποίηση
■ Πλήρης εμβέλεια λειτουργίας VCC ± 10% (DS1220AD)
■ Προαιρετικό εύρος λειτουργίας VCC ± 5% (DS1220AB)
■ Προαιρετικό εύρος βιομηχανικών θερμοκρασιών από -40°C έως +85°C, με ονομασία IND

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής ΔΑΛΛΑΣ ΣΕΜΙΚΟΝΤΟΡΣ
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά DS1220AD
Συσκευή Τύπος
Στυλ εγκατάστασης Μέσα από την τρύπα
Πακέτο-Κουτί Μονάδα 24-DIP (0,600", 15,24mm)
Θερμοκρασία λειτουργίας -40 °C ~ 85 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 4.5 V ~ 5.5 V
Συσκευή του προμηθευτή 24-EDIP
Δυνατότητα μνήμης 16K (2K x 8)
Τύπος μνήμης NVSRAM (μη πτητική SRAM)
Ταχύτητα 100 μs
Χρόνος πρόσβασης 100 ns
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας + 85 C
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας - 40 C.
Τρέχων παροχής λειτουργίας 85 mA
Τύπος διεπαφής Παράλληλα
Οργάνωση 2 k x 8
Μέρος-#-Παρανομοιότυπα 90-1220A+D1I DS1220AD
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων 8 bit
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 5.5 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 4.5 V
Πακέτο-Κουτί EDIP-24

Λειτουργικό συμβατό στοιχείο

Φόρμα, συσκευασία, λειτουργικό συμβατό στοιχείο

Παρασκευαστής Περιγραφή Κατασκευαστής Συγκρίνετε
DS1220Y-100
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDED, DIP-24 Ημιαγωγός Ντάλας DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220Y-100
DS1220AB-100IND
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTIC, DIP-24 Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim Το DS1220AD-100IND+ έναντι του DS1220AB-100IND
DS1220AD-100
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDED, DIP-24 Ημιαγωγός Ντάλας DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220AD-100
DS1220Y-100IND
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-24 Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220Y-100IND
DS1220AD-100IND
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTIC, DIP-24 Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220AD-100IND
DS1220AB-100+
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, πλαστική, DIP-24 Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220AB-100+
DS1220AB-100IND+
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, πλαστική, DIP-24 Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220AB-100IND+
DS1220Y-100+
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, DIP-24 Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220Y-100+
DS1220Y-100IND+
Μνήμη
Μη πτητική μονάδα SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, συμβατή με το ROHS, DIP-24 Συμπληρωματικά προϊόντα Maxim DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220Y-100IND+
DS1220AB-100
Μνήμη
2KX8 μη πτητική μονάδα SRAM, 100ns, DMA24, 0,720 INCH, πλαστική, DIP-24 Η Rochester Electronics LLC DS1220AD-100IND+ έναντι DS1220AB-100

Περιγραφές

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Μνήμη IC 16Kb (2K x 8) Παράλληλη 100ns 24-EDIP
NVRAM 16k Μη πτητική SRAM