AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA Alliance Memory, Inc.

Μάρκα Alliance Memory, Inc.
Αριθμό μοντέλου Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα που χρησιμοποιούνται για την κατασκευή οχημά
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - Κινητή LPDDR2 Μέγεθος μνήμης 4Gbit
Οργάνωση μνήμης 128M X 32 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 533 MHZ Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης - Πρόσθετη τάση 1.14V ~ 1.95V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 85°C (TC) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 134-VFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 134-FBGA (10x11.5)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C8M32MD2A-25BCN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCNTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Χαρακτηριστικά

• Οργάνωση: 1,048,576 λέξεις × 4 bits
• Υψηλή ταχύτητα
- 40/50/60/70 ns χρόνος πρόσβασης στο RAS
- 20/25/30/35 ns χρόνος πρόσβασης στη διεύθυνση στήλης
- 10/13/15/18 ns χρόνος πρόσβασης CAS
• Μικρή κατανάλωση ενέργειας
- Ενεργός: 385 mW μέγιστο (-60)
- Σε αναμονή: 5,5 mW, CMOS I/O
• Ταχεία λειτουργία σελίδας (AS4C14400) ή EDO (AS4C14405)
• 1024 κύκλοι ανανέωσης, διάστημα ανανέωσης 16 ms
- ανανέωση μόνο RAS ή CAS πριν από RAS
• Διάβασμα-τροποποίηση-γράφηση
• Τριδιακό I/O συμβατό με το TTL
• Τα τυποποιημένα πακέτα JEDEC
- 300 ml, 20/26-pin SOJ
- 300 ml, 20/26-pin TSOP
• Μία μονάδα τροφοδοσίας 5V
• Προστασία ESD ≥ 2001V
• ρεύμα κλειδώματος ≥ 200 mA

Προδιαγραφές

ΕιδικότηταΑξία χαρακτηριστικού
ΚατασκευαστήςAlliance Memory, Inc. (Εταιρεία Μνήμης Συμμαχίας).
Κατηγορία προϊόντωνΤσιπάκια IC
Δρ.Εταιρεία Alliance Memory Inc.
Σειρά-
ΠακέτοΤραπέζι
Κατάσταση του προϊόντοςΕνεργός
Τύπος μνήμηςΕπικίνδυνα
Φόρμα μνήμηςDRAM
ΤεχνολογίαSDRAM - Κινητή LPDDR2
Μέγεθος μνήμης4Gb (128M x 32)
Διασύνδεση μνήμηςΠαράλληλα
Συνήθεια ρολογιού533 MHz
Γράψτε-Cycle-Time-Word-σελίδα15n
Προμήθεια τάσης1,14V ~ 1,95V
Θερμοκρασία λειτουργίας-40 °C ~ 85 °C (TC)
Τύπος στερέωσηςΕπεξεργασία επιφανείας
Πακέτο-Κουτί134-VFBGA
Συσκευή του προμηθευτή134-FBGA (10x11.5)
Αριθμός βασικού προϊόντοςΑΣ4C128