TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Η εταιρεία αυτή είναι υπεύθυνη για την παρακολούθηση και την επεξεργασία των πληροφοριών που παρέχονται από την εταιρεία.

[Τόσιμπα]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM

Περιγραφή

Το TH58NVG1S3A είναι ένα μόνο 3,3-V 2G-bit (2,214,592,512 bits) NAND Ηλεκτρικά διαγράφεται και προγραμματίζεται μόνο ανάγνωση μνήμη (NAND E2PROM) οργανωμένη ως (2048 + 64) bytes x 64 σελίδες x 2048 μπλοκ.Η συσκευή διαθέτει στατικά μητρώα 2112 bytes τα οποία επιτρέπουν τη μεταφορά δεδομένων προγράμματος και ανάγνωσης μεταξύ του μητρώου και της συστοιχίας κυττάρων μνήμης με αυξήσεις 2112 bytesΗ λειτουργία Erase εφαρμόζεται σε μία μονάδα μπλοκ (128 Kbytes + 4Kbytes: 2112 bytes x 64 σελίδες).
Η TH58NVG1S3A είναι μια συσκευή μνήμης σειριακού τύπου που χρησιμοποιεί τις καρφίτσες I/O τόσο για την εισαγωγή / έξοδο διευθύνσεων και δεδομένων όσο και για τις εισόδους εντολών.Οι λειτουργίες διαγραφής και προγράμματος εκτελούνται αυτόματα, καθιστώντας τη συσκευή πιο κατάλληλη για εφαρμογές όπως η αποθήκευση αρχείων στερεής κατάστασης, ηχογράφηση φωνής, μνήμη αρχείων εικόνας για ακίνητες κάμερες και άλλα συστήματα που απαιτούν αποθήκευση δεδομένων μη πτητικής μνήμης υψηλής πυκνότητας.

Ειδικά χαρακτηριστικά

• Οργάνωση
Η μνήμη των κυττάρων είναι 2112 u 64K u 8 u 2
Μητρώο 2112 u 8
Μέγεθος σελίδας 2112 bytes
Μέγεθος μπλοκ (128K 4K) bytes
• Τρόποι
Διαβάστε, επαναφέρετε, αυτόματο πρόγραμμα σελίδας
Αυτόματη διαγραφή μπλοκ, ανάγνωση κατάστασης
• Ελέγχος λειτουργίας
Σειριακή είσοδος/έξοδος
Έλεγχος ελέγχου
• Τροφοδοσία ηλεκτρικής ενέργειας VCC 2,7 V έως 3,6 V
• Κύκλοι προγραμματισμού/καθάρισης 1E5 Κύκλοι (με ECC)
• Χρόνος πρόσβασης
Η σειρά κυττάρων καταγράφει 25 μs μέγιστο
Συνεχόμενος κύκλος ανάγνωσης 50 ns min
• ρεύμα λειτουργίας
Διάβασμα (50 ns κύκλος) 10 mA typ.
Πρόγραμμα (μέσος όρος) 10 mA typ.
Διαγραφή (μέσος όρος) 10 mA typ.
Σε κατάσταση αναμονής 50 μA μέγιστο
• Πακέτο
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Βάρος: 0,53 g typ.)