S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Μάρκα Cypress Semiconductor Corp
Αριθμό μοντέλου S29WS064RABBHW010
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Αμετάβλητος Σχήμα μνήμης ΛΑΜΨΗ
Τεχνολογία ΛΑΜΨΗ - ΟΥΤΕ Μέγεθος μνήμης 64Mbit
Οργάνωση μνήμης 4M X 16 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 108 MHZ Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 60ns
Χρόνος πρόσβασης 80 NS Πρόσθετη τάση 1.7V ~ 1.95V
Θερμοκρασία λειτουργίας -25°C ~ 85°C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 84-VFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 84-FBGA (11.6x8)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0SBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0PBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0PBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0SBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0LBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS128P0PBFW003 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW002 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBAW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128PABBFW000 IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBAW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512PABBFW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS256R0SBHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW200E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200E IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Γενική περιγραφή

Τα Spansion S29WS256/128/064N είναι προϊόντα MirrorbitTM Flash που κατασκευάζονται με τεχνολογία διαδικασίας 110 nm.Αυτές οι συσκευές Flash λειτουργίας έκρηξης είναι σε θέση να εκτελούν ταυτόχρονες λειτουργίες ανάγνωσης και εγγραφής με μηδενική καθυστέρηση σε δύο ξεχωριστές τράπεζες χρησιμοποιώντας ξεχωριστές πληροφορίες και καρφίτσες διευθύνσεωνΤα προϊόντα αυτά μπορούν να λειτουργούν μέχρι 80 MHz και χρησιμοποιούν ένα μόνο VCC από 1,7 V έως 1,95 V το οποίο τα καθιστά ιδανικά για τις σημερινές απαιτητικές ασύρματες εφαρμογές που απαιτούν υψηλότερη πυκνότητα.καλύτερη απόδοση και μειωμένη κατανάλωση ενέργειας.

Διακριτικά χαρακτηριστικά

■ Μοναδική ανάγνωση/πρόγραμμα/διαγραφή 1.8 V (1.70­1.95 V)
■ Τεχνολογία MirrorBitTM 110 nm
■ Ταυτόχρονη λειτουργία ανάγνωσης/γράφησης με μηδέν
καθυστέρηση
■ 32 λέξεις Write Buffer
■ Αρχιτεκτονική δεκαέξι γωνιών που αποτελείται από 16/8/4
Ονομασίες WS256N/128N/064N, αντίστοιχα
■ Τέσσερις τομείς 16 Kword τόσο στην κορυφή όσο και στο κάτω μέρος της
συστοιχία μνήμης
■ 254/126/62 64 Κουόρντ (WS256N/128N/)
064N)
■ Προγραμματιζόμενες λειτουργίες ανάγνωσης
️ Γραμμικό για 32, 16 ή 8 λέξεις γραμμικό με ή
Χωρίς περιτύλιγμα
Διάταξη συνεχούς διαδοχικής ανάγνωσης
■ SecSiTM (Secured Silicon) Τομεακή περιοχή που αποτελείται από
των 128 λέξεων για το εργοστάσιο και τον πελάτη
■ Διατήρηση δεδομένων για 20 έτη (τυπική)
■ Αντοχή στο ποδήλατο: 100.000 ποδήλατα ανά τομέα
(τυπικό)
■ Η έξοδος RDY δείχνει τα διαθέσιμα δεδομένα του συστήματος
■ Σύνολο εντολών συμβατό με το JEDEC (42.4)
πρότυπο
■ Προστασία από υλικό (WP#) της κορυφής και του κάτω μέρους
Τομείς
■ Διαμόρφωση διπλού τμήματος μπότες (πάνω και κάτω)
■ Παροχή πακέτων
¢ WS064N: 80 μπάλες FBGA (7 mm x 9 mm)
️ WS256N/128N: 84-ball FBGA (8 mm x 11,6 mm)
■ Χαμηλή αναστολή εγγραφής VCC
■ Διαρκείς και κωδικός πρόσβασης μεθόδους
Προστασία του τομέα
■ Τα bits καταγραφής της κατάστασης λειτουργίας δείχνουν το πρόγραμμα και
ολοκλήρωση της λειτουργίας διαγραφής
■ Αναστολή και επανέναρξη εντολών για προγράμματα και
Λειτουργίες διαγραφής
■ Ανοίξτε την εντολή προγράμματος Bypass για να μειώσετε
χρόνος προγραμματισμού
■ Σύγχρονη ή ασύγχρονη λειτουργία προγράμματος,
ανεξάρτητη από τις ρυθμίσεις του μητρώου ελέγχου εκρήξεως
■ Πίνας εισόδου ACC για τη μείωση του χρόνου προγραμματισμού στο εργοστάσιο
■ Υποστήριξη της κοινής διεπαφής Flash (CFI)
■ Βιομηχανικό εύρος θερμοκρασίας (εργοστάσιο επαφής)

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής Κύπρος ημιαγωγός
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά WS-R
Συσκευή Τραπέζι
Στυλ εγκατάστασης Επενδύσεις
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας - 25 C έως + 85 C
Πακέτο-Κουτί *
Θερμοκρασία λειτουργίας -25°C ~ 85°C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 10,7 V ~ 1,95 V
Συσκευή του προμηθευτή *
Δυνατότητα μνήμης 64M (4M x 16)
Τύπος μνήμης ΦΛΑΣΧ - Ούτε
Ταχύτητα 108MHz
Αρχιτεκτονική Τομέας
Φόρμα-μνήμη ΦΛΑΣ
Τύπος Κοινή διεπαφή Flash (CFI)
Τύπος διεπαφής Παράλληλα
Οργάνωση 4 M x 16
Μέγιστο ρεύμα παροχής 44 mA
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων 16 bit
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 10,95 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 1.7 V
Πακέτο-Κουτί FBGA-84
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού 108 MHz
Τύπος χρονισμού Ασύγχρονη Σύγχρονη
Λειτουργικό συμβατό στοιχείοΦόρμα, συσκευασία, λειτουργικό συμβατό στοιχείο
Παρασκευαστής Περιγραφή Κατασκευαστής Συγκρίνετε
S29WS064R0SBHW000
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός S29WS064RABBHW010 έναντι S29WS064R0SBHW000
S29WS064R0SBHW013
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Ειδικότερα, η Επιτροπή θεωρεί ότι οι εν λόγω διατάξεις δεν εφαρμόζονται στην περίπτωση που οι εν λόγω διατάξεις δεν εφαρμόζονται στην περίπτωση που οι εν λόγω διατάξεις δεν εφαρμόζονται.
S29WS064RABBHW010
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064RABBHW010
S29WS064R0SBHW010
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064R0SBHW010
S29WS064R0PBHW010
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064R0PBHW010
S29WS064R0SBHW003
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064R0SBHW003
S29WS064RABBHW013
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064RABBHW013
S29WS064R0PBHW013
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064R0PBHW013
S29WS064RABBHW003
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064RABBHW003
S29WS064R0PBHW000
Μνήμη
Φλας, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, χωρίς μόλυβδο, FBGA-84 Κύπρος ημιαγωγός Το S29WS064RABBHW010 έναντι του S29WS064R0PBHW000

Περιγραφές

Flash - NOR Μνήμη IC 64Mb (4M x 16) Παράλληλα 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR Flash Parallel 1.8V 64M-bit 4M x 16 80ns 84-Pin TFBGA Θήκη
Φλας μνήμη