IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, ολοκληρωμένη λύση πυριτίου Inc

Μάρκα ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Αριθμό μοντέλου IS43R32400E-5BL-TR
Ποσότητα παραγγελίας min 1
Τιμή Based on current price
Συσκευασία λεπτομέρειες Αντιστατική τσάντα & χαρτόνια
Χρόνος παράδοσης 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς Σε αποθέματα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος μνήμης Πτητικός Σχήμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR Μέγεθος μνήμης 128Mbit
Οργάνωση μνήμης 4M x 32 Διεπαφή μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών 200 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα 15ns
Χρόνος πρόσβασης 700 CP Πρόσθετη τάση 2.3V ~ 2.7V
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA) Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 144-LFBGA Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 144-LFBGA (12x12)
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
Part Number Description
IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BL IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BLI IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4BL IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4B IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5B IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BI IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
Αφήστε ένα μήνυμα
Part Number Description
Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Ειδικά χαρακτηριστικά

● Τυπική τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
● Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Πίσω συμβατό με 1.5V
● Ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων
συχνότητα έως 933 MHz
● 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
● Αρχιτεκτονική 8n-bit pre-fetch
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
● Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
● Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS WRITE (CWL) με βάση το tCK
● Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
● Προγραμματισμένη ακολουθία εκρήξεων: Διαδοχική ή διασταυρούμενη
● Εναλλαγή BL στην πτήση
● Αυτόματη ανανέωση (ASR)
● Αυτοανανεώσιμη θερμοκρασία (SRT)
● Διαστήματα ανανέωσης:
7.8 us (8192 κύκλοι/64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
3.9 us (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
● Μερική Συνολική Αυτοαναζωογόνηση
● Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
● Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
● OCD (προσαρμογή αντίστασης οδηγού εκτός τσιπ)
● Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά τη σπατάλη)
● Δύναμη οδήγησης: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ′′)
● Γράψτε την ισοπέδωση
● Μέχρι 200 MHz σε κατάσταση απενεργοποίησης DLL
● Θερμοκρασία λειτουργίας:
Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)

Προδιαγραφές

Ειδικότητα Αξία χαρακτηριστικού
Κατασκευαστής ΔΕΣΙ
Κατηγορία προϊόντων Συνολικές κυκλικές μονάδες μνήμης
Σειρά IS43R32400E
Τύπος DDR1
Συσκευή Εναλλακτική συσκευασία με ταινία και κυλίνδρους (TR)
Στυλ εγκατάστασης Επενδύσεις
Πακέτο-Κουτί 144-LFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας 0 °C ~ 70 °C (TA)
Διασύνδεση Παράλληλα
Προμήθεια τάσης 2.3 V ~ 2.7 V
Συσκευή του προμηθευτή 144-LFBGA (12x12)
Δυνατότητα μνήμης 128M (4M x 32)
Τύπος μνήμης DDR SDRAM
Ταχύτητα 200MHz
Χρόνος πρόσβασης 5 μs
Φόρμα-μνήμη Μνήμη RAM
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας + 70 C
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας 0 C
Οργάνωση 4 M x 32
Μέγιστο ρεύμα παροχής 320 mA
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων 32 bit
Η τάση τροφοδοσίας-μέγιστη 2.7 V
Η τάση τροφοδοσίας-Min 2.3 V
Πακέτο-Κουτί LFBGA-144
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού 200 MHz

Περιγραφές

SDRAM - DDR μνήμη IC 128Mb (4M x 32) Παράλληλη 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA T/R
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v